[发明专利]用于等离子体涂布系统的料片、制造方法及制造薄膜的方法在审
| 申请号: | 201310475990.X | 申请日: | 2013-10-12 |
| 公开(公告)号: | CN104131255A | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
| 发明(设计)人: | 金勳;朴镇宇 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | C23C14/28 | 分类号: | C23C14/28;C23C14/08;H01J37/34 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;王珍仙 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 等离子体 系统 制造 方法 薄膜 | ||
1.一种用于等离子体涂布系统的料片,所述料片包括:
第一部分,所述第一部分包括在第一压力下具有第一升华点的第一材料;和
第二部分,所述第二部分放置在所述第一部分上并包括在所述第一压力下具有第二熔点的第二材料,其中所述第二熔点低于所述第一升华点。
2.根据权利要求1所述的料片,其中所述第一材料为锡氧化物。
3.根据权利要求1所述的料片,其中所述第二材料为锡。
4.根据权利要求1所述的料片,其中所述第二材料为包括锡氧化物、磷氧化物、磷酸硼、锡氟化物、铌氧化物、氧化锌、硅氧化物、氧化硼或氧化钨中的至少一种的混合物。
5.根据权利要求1所述的料片,其中,所述第二部分占整个所述料片的10%至50%的体积,并且所述第一部分占整个所述料片的50%至90%的体积。
6.根据权利要求1所述的料片,其中所述第一部分的上表面的中心部分凹向所述第一部分的下表面。
7.根据权利要求1所述的料片,其中所述第二部分形成为单片或多片。
8.一种形成根据权利要求1至7中任一项所述的料片的方法,所述方法包括:
通过研磨、压缩和烧结第一材料而形成第一部分,所述第一材料在第一压力下具有第一升华点,和
通过将第二材料放置在所述第一部分的上表面上而形成第二部分,所述第二材料在第一压力下具有第二熔点,
其中,所述第二熔点低于所述第一升华点。
9.一种通过使用根据权利要求1至7中任一项所述的用于等离子体涂布系统的料片制造薄膜的方法,所述方法包括:
加热容纳所述料片的坩埚;
通过在所述第一部分的上表面的中心部分熔化和收集所述第二材料而暴露所述第一部分的上表面的边缘部分;
从所述第一部分的所述暴露的上表面的边缘部分升华所述第一材料;和
通过所述升华的第一材料在将要进行沉积的主体上形成薄膜。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,通过吸收从离子枪射出的电子而加热所述坩埚。
11.根据权利要求9所述的方法,其中,被所述第一部分释放的离散的物质被所述熔化的第二材料吸收。
12.根据权利要求9所述的方法,其中,所述薄膜为密封有机发光装置的密封薄膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310475990.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:溅镀设备以及保护膜的形成方法
- 下一篇:沉积源以及具有其的沉积设备
- 同类专利
- 专利分类





