[发明专利]阵列基板及其驱动方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201310467672.9 申请日: 2013-10-09
公开(公告)号: CN103488008B 公开(公告)日: 2017-02-01
发明(设计)人: 曲莹莹;张洪林;王丹 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1333;G09G3/36
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司11002 代理人: 李相雨
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 驱动 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括栅线和数据线,以及由所述栅线和所述数据线限定的多个像素单元,每个像素单元包括公共电极和像素电极,其特征在于,

所述公共电极和所述像素电极位于不同膜层通过绝缘层相绝缘,所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极,所述第一公共电极连接第一公共电极线,所述第二公共电极连接第二公共电极线,且所述第一公共电极和所述第二公共电极均为狭缝状电极,所述第一公共电极包括多个第一条形电极,所述第二公共电极包括多个第二条形电极,且所述第一条形电极和所述第二条形电极交替设置,用于分别与所述像素电极形成电场。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极为狭缝状电极,所述像素电极包括多个第三条形电极,且像素电极的第三条形电极、第一公共电极的第一条形电极和第二公共电极的第二条形电极交替设置,相邻的第一公共电极的第一条形电极和第二公共电极的第二条形电极之间间隔所述像素电极的第三条形电极。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极和所述第二公共电极位于同一膜层,所述第一公共电极和所述第二公共电极均位于所述像素电极的远离阵列基板的衬底基板一侧,或者所述第一公共电极和所述第二公共电极均位于所述像素电极的靠近阵列基板的衬底基板一侧。

4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极和所述第二公共电极位于不同膜层,所述第一公共电极和所述第二公共电极均位于所述像素电极的远离阵列基板的衬底基板一侧,或者所述第一公共电极和所述第二公共电极均位于所述像素电极的靠近阵列基板的衬底基板一侧,或者所述第一公共电极位于所述像素电极的远离阵列基板的衬底基板一侧且所述第二公共电极位于所述像素电极的靠近阵列基板的衬底基板一侧。

5.根据权利要求2~4中任一项所述的阵列基板,其特征在于,相邻的所述第一公共电极的第一条形电极和所述第二公共电极的第二条形电极的在基板上的投影的之间距大于所述像素电极的第三条形电极的宽度。

6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极的第一条形电极和所述像素电极的第三条形电极在平行于阵列基板方向上的距离为0~0.6μm,所述第二公共电极的第二条形电极和所述像素电极的第三条形电极在平行于阵列基板方向上的距离为0~0.6μm,所述第一条形电极、第二条形电极和第三条形电极的宽度为2~2.6μm。

7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极为板状电极,所述第一公共电极和第二公共电极均位于像素电极远离阵列基板的衬底基板一侧的同一膜层或不同膜层。

8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。

9.一种阵列基板的驱动方法,其特征在于,所述阵列基板为如权利要求1-7任一项所述的阵列基板;所述驱动方法包括:

通过第一公共电极线向第一公共电极施加第一公共电压;

通过第二公共电极线向第二公共电极施加第二公共电压,所述第二公共电压与所述第一公共电压不同。

10.根据权利要求9所述的驱动方法,其特征在于,所述驱动方法还包括:

通过数据线向像素电极提供像素电压信号,所述像素电压信号介于所述第一公共电压和所述第二公共电压之间。

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