[发明专利]一种具有微纳结构的0LED制造方法

权利要求书

1.一种具有微纳结构的0LED的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）、分别在清洗后的石英基片上旋涂单层第一二氧化硅纳米球和第二二氧化硅纳米球，第一二氧化硅纳米球的直径大于第二二氧化硅纳米球直径；

2）、对涂布有第一二氧化硅纳米小球和第二二氧化硅纳米球的石英基片进行刻蚀，涂布第一二氧化硅纳米球的石英基片刻蚀为散射结构石英基片，涂布第二二氧化硅纳米球的石英基片刻蚀为增透结构石英基片；

3）、对刻蚀后的两种石英基片进行清洗、烘干后，将聚氨酯分别涂在刻蚀后的两种石英基片上，烘烤待聚氨酯固化后，脱模得到具有增透结构的聚氨酯模具和具有散射结构的聚氨酯模具；

4）、将具有增透结构的聚氨酯模具和具有散射结构的聚氨酯模分别放置在聚碳酸酯基底的上下两端同时进行热压印，在聚碳酸酯基底形成散射结构和增透结构；

5）、在聚碳酸酯基底的散射结构上制备OLED器件。

2.如权利要求1所述的具有微纳结构的0LED的制造方法，其特征在于，所述第一二氧化硅纳米球直径为400nm，第二二氧化硅纳米球直径为200nm。

3.如权利要求1所述的具有微纳结构的0LED的制造方法，其特征在于，所述步骤2）中利用感应耦合等离子刻蚀的方法对涂布有第一二氧化硅纳米小球和第二二氧化硅纳米球的石英基片进行刻蚀。

4.如权利要求3所述的具有微纳结构的0LED的制造方法，其特征在于，散射结构石英基片刻蚀参数为：RF功率50W，ICP功率500W，反应气体通量C₄F₈为50sccm,O2为10sccm，刻蚀时间1分钟；增透结构石英基片刻蚀参数为RF功率40W，ICP功率400W，反应气体通量C₄F₈为50sccm,O₂为10sccm，刻蚀时间4分钟。

5.如权利要求1所述的具有微纳结构的0LED的制造方法，其特征在于，所述步骤3）将聚氨酯分别涂在刻蚀后的两种石英基片上，在70℃下烘烤1h，使得聚氨酯固化。

6.如权利要求1所述的具有微纳结构的0LED的制造方法，其特征在于，所述步骤4）中热压印通过键合机进行，热压印参数为温度150℃，压力为50kg/cm²，持续时间为5分钟。

7.如权利要求1所述的具有微纳结构的0LED的制造方法，其特征在于，所述在聚碳酸酯基底的散射结构上制备OLED器件包括：

a、利用溅射法在聚碳酸酯基底上蒸镀ITO层；

b、在ITO层上蒸镀空穴传输层NPB，蒸镀电流为45A，电压为1.3V，膜厚为40nm、再蒸镀发光层及电子传输层Alq₃，蒸镀电流为45A，电压为1.3V，膜厚为60nm；

c、在空穴传输层NPB上蒸渡电子注入层LiF,蒸渡电流为45A,电压为1.3V，膜厚为1nm、最后蒸镀Al层，蒸镀电流为280A，电压为1.8V，膜厚为80nm。

8.如权利要求7所述的具有微纳结构的0LED的制造方法，其特征在于，所利用溅射法在聚碳酸酯基底上蒸镀ITO层参数为：真空度为2×10^-3Pa，溅射功率为100w，溅射时间为40min，厚度为200nm。