[发明专利]一种相变材料化学机械抛光方法有效
| 申请号： | 201310462116.2 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103497688A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 何敖东;宋志棠;刘波;王良咏;刘卫丽 | 申请（专利权）人： | 上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C23F3/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 张艳 |
| 地址： | 201506 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 相变 材料 化学 机械抛光 方法 | ||
1.一种相变材料化学机械抛光方法，包括如下步骤：
1）提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一电介质层，在所述第一电介质层形成底部电极，再在第一电介质层和底部电极上方覆盖第二电介质层；
2）所述第二电介质层经过光刻和刻蚀工艺，形成柱形开孔，使底部电极暴露；
3）在所述柱形开孔中填充相变材料，并将柱形开孔填满；
4）在酸性抛光液的条件下，利用化学机械抛光工艺去除柱形开孔外的相变材料；
5）在第二电介质层上生长一层第三电介质层；
6）采用抛光液，利用化学机械抛光去除第三电介质层。
2.如权利要求1所述的一种相变材料化学机械抛光方法，其特征在于，所述第一电介质层的材料为SiO2。
3.如权利要求1所述的一种相变材料化学机械抛光方法，其特征在于，所述第一电介质层采用化学气相沉积方法进行生长。
4.如权利要求1所述的一种相变材料化学机械抛光方法，其特征在于，所述第一电介质层的厚度为100～300nm。
5.如权利要求1所述的一种相变材料化学机械抛光方法，其特征在于，所述第二电介质层的材料选自SiO2，SiN，SiON中的一种。
6.如权利要求1所述的一种相变材料化学机械抛光方法，其特征在于，所述第二电介质层采用化学气相沉积方法进行生长。
7.如权利要求1所述的一种相变材料化学机械抛光方法，其特征在于，所述第二电介质层的厚度为90～130nm。
8.如权利要求1所述的一种相变材料化学机械抛光方法，其特征在于，所述相变材料选自GexSbyTe(1-x-y)、SixSbyTe(1-x-y)、TixSbyTe(1-x-y)和AlxSbyTe(1-x-y)，其中0≤x<1，0≤y<1，x+y≤1。
9.如权利要求1所述的一种相变材料化学机械抛光方法，其特征在于，所述相变材料层的填充方法选自化学气相沉积、物理气相沉积或原子层沉积工艺中的一种或多种的组合。
10.如权利要求1所述的一种相变材料化学机械抛光方法，其特征在于，所述步骤4中，所述酸性抛光液的pH为3～6。
11.如权利要求1所述的一种相变材料化学机械抛光方法，其特征在于，所述步骤4中，相变材料的去除速率为100～200nm/min，抛光选择比大于50，小于100。
12.如权利要求1所述的一种相变材料化学机械抛光方法，其特征在于，所述第三电介质层的材料选自SiO2，SiN，SiON中的一种。
13.如权利要求1所述的一种相变材料化学机械抛光方法，其特征在于，所述第三电介质层采用化学气相沉积方法进行生长，沉积温度小于250℃。
14.如权利要求1所述的一种相变材料化学机械抛光方法，其特征在于，所述第三电介质层的厚度为20～40nm。
15.如权利要求1所述的一种相变材料化学机械抛光方法，其特征在于，所述步骤6中，所述化学机械抛光工艺采用的抛光液的pH为6～9。
16.如权利要求1所述的一种相变材料化学机械抛光方法，其特征在于，所述步骤6中，所述第三电介质层的去除速率为30～50nm/min，抛光选择比大于2，小于10。
17.如权利要求1-16任一权利要求所述的相变材料化学机械抛光方法在相变材料制备领域的应用。
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