[发明专利]一种利用激光制造折点的引线成弧方法有效
| 申请号： | 201310461505.3 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103500714A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 王福亮;陈云;韩雷;李军辉 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 黄美成 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 激光 制造 引线 方法 | ||
1.一种利用激光制造折点的引线成弧方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：在芯片焊盘（6）的中心点位置O点形成第一焊点；
框架焊盘（5）的中心点位置为F点，芯片焊盘（6）上表面与框架（1）下表面之间的距离为h；
步骤2：劈刀垂直上升至E点，同时释放引线，OE之间的距离满足|OE|=|h|+1.2|OF|；
步骤3：在引线的O点与E点之间，至少选择一个点A点，OA长度为80-150微米；
利用激光器从劈刀右侧照射引线上的A点，在A点产生热塑区，形成一个向左凸出的折点；
步骤4：以O点为中心点，O点与F点之间的距离|OF|作为为椭圆短轴，椭圆长轴为4000-8000微米，劈刀从E点沿着椭圆轨迹运动至F点，在框架焊盘（5）的中心点位置F点形成第二焊点，即完成从芯片焊盘到框架焊盘之间的引线搭建。
2.根据权利要求1所述的一种利用激光制造折点的引线成弧方法，其特征在于，所述步骤3中，在引线的O点与E点之间，选择两个点A点和D点，OA长度为80-150微米，OD长度为4/5|OE|微米；
利用激光器分别从劈刀右侧照射引线上的A点和D点，在A点和D点产生热塑区，形成两个向左凸出的折点。
3.根据权利要求1所述的一种利用激光制造折点的引线成弧方法，其特征在于，所述步骤3中，在引线的O点与E点之间，选择四个点：A、B、C及D；
OA长度为80-150微米，OC长度为3/5|OE|微米；
OB长度为2/5|OE|微米,OD长度为4/5|OE|微米；
利用激光器从劈刀的右侧分别照射引线上的A点和C点，在A点和C点分别产生热塑区，形成两个向左凸出的折点；
利用激光器从劈刀的左侧分别照射引线上的B点和D点，在B点和D点分别产生热塑区，形成两个向右凸出的折点。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种利用激光制造折点的引线成弧方法，其特征在于，劈刀侧面设有激光器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
