[发明专利]一种制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310459542.0 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN104517887B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 蒲月皎;宋化龙;董金珠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 浅沟槽 衬底 半导体器件 垫氧化层 半导体 氮化物层 开口 边角区域 工艺处理 双峰效应 制造工艺 衬垫层 回蚀刻 晶体管 图案化 边角 侧壁 减小 刻蚀 圆化 填充 制作 优化 | ||
【权利要求书】：
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上依次形成垫氧化层和氮化物层，所述垫氧化层和氮化物层作为浅沟槽的掩膜；
图案化所述垫氧化层和所述氮化物层，以形成露出所述半导体衬底的开口；
根据所述开口刻蚀所述半导体衬底，以形成浅沟槽；
在所述浅沟槽的底部和侧壁上形成衬垫层；
采用回蚀刻工艺处理所述氮化物层，以露出位于所述浅沟槽顶部附近的部分所述垫氧化层；
氧化露出的所述垫氧化层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用湿法氧化工艺执行所述氧化步骤。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述开口定义了浅沟槽隔离结构区域和有源区域。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述回蚀刻工艺和所述湿法氧化工艺均用以改善所述浅沟槽的边角形状。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬垫层为氮氧化硅。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在所述浅沟槽中填充隔离材料，进而形成浅沟槽隔离结构的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
