[发明专利]反应腔室及等离子体加工设备有效
申请号: | 201310455870.3 | 申请日: | 2013-09-29 |
公开(公告)号: | CN104513971B | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 董志清 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反应 等离子体 加工 设备 | ||
1.一种反应腔室,在所述反应腔室内设置有采用导磁材料制作的多层托盘,且沿竖直方向间隔设置,用以承载被加工工件;并且,所述反应腔室包括加热单元,用以对所述托盘进行加热,其特征在于,所述加热单元包括交流电源、环绕设置在所述反应腔室的侧壁外侧的加热线圈和辅助线圈,其中
所述加热线圈位于与所述多层托盘所在区域相对应的位置,且与所述交流电源连接,用以采用感应加热的方式对所述托盘进行加热;
所述辅助线圈位于所述加热线圈的顶端上方和底端下方,所述辅助线圈自身采用闭合回路结构,用以在所述加热线圈通入交流电时形成感应磁场,所述感应磁场用于调整由所述加热线圈形成的交变磁场的分布,以使各层所述托盘的径向温度趋于均匀。
2.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,位于所述加热线圈的顶端上方的所述辅助线圈的数量为一个或者多个,多个所述辅助线圈彼此独立,且每个所述辅助线圈为螺旋缠绕的至少一匝的闭合线圈,和/或
位于所述加热线圈的底端下方的所述辅助线圈的数量为一个或者多个,多个所述辅助线圈彼此独立,且每个所述辅助线圈为螺旋缠绕的至少一匝的闭合线圈。
3.根据权利要求2所述的反应腔室,其特征在于,所述反应腔室还包括闭合开关,所述闭合开关的数量与所述辅助线圈的数量一一对应,且每个所述闭合开关设置在与之对应的所述辅助线圈上,用于接通或断开由所述辅助线圈形成的闭合回路。
4.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述反应腔室还包括控制单元,所述控制单元用于控制所述辅助线圈自身回路结构以设定的频率断开或闭合。
5.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,在所述反应腔室内,且位于与所述辅助线圈所在区域相对应的位置设置有一层或多层辅助托盘,且所述多层辅助托盘沿竖直方向间隔设置。
6.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述交流电源的频率范围在1~20KHz。
7.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述加热线圈包括铜线圈或者紫铜管。
8.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述加热线圈的径向截面的形状包括圆形或者方形。
9.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述辅助线圈所采用的材料包括不锈钢。
10.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述辅助线圈的径向截面的形状包括圆形或者方形。
11.一种等离子体加工设备,包括反应腔室,其特征在于,所述反应腔室采用上述权利要求1-10任意一项所述的反应腔室。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的