[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述阴极由钠盐掺杂层和聚合物掺杂层组成，所述钠盐掺杂层包括钠盐及掺杂在所述钠盐中的有机电子传输材料，所述钠盐材料选自碳酸钠、氯化钠、氟化钠和溴化钠中至少一种，所述有机电子传输材料的HOMO能级在-6.5eV～-7.5eV，玻璃化转变温度在50℃～100℃，所述钠盐与所述有机电子传输材料的质量比为1:10～1:2，所述聚合物掺杂层材料包括硅化合物及掺杂在所述硅化合物中的聚噻吩材料，所述硅化合物材料选自一氧化硅、二氧化硅和硅酸钠中至少一种，所述聚噻吩材料为重量比为2:1-6:1的聚3，4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸盐水溶液混合物，其中，所述聚3，4-二氧乙烯噻吩相对水的质量分数为1%～5%，所述硅化合物与所述聚噻吩的质量比为1:20～1:10。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电子传输材料选自2，2'-(1，3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-恶二唑]、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲和2，8-二（二苯膦氧基）二苯并[b，d]噻吩中至少一种。

3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述钠盐掺杂层的厚度为10nm～40nm，所述聚合物掺杂层的厚度为200nm～800nm。

4.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9，10-二-β-亚萘基蒽、4，4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种，所述空穴注入层的材料选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种，所述空穴传输层的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4'，4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺中的至少一种。

5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层；及

在所述电子注入层的表面热阻蒸镀形成钠盐掺杂层，所述钠盐掺杂层包括钠盐及掺杂在所述钠盐中的有机电子传输材料，所述钠盐材料选自碳酸钠、氯化钠、氟化钠和溴化钠中至少一种，所述有机电子传输材料的HOMO能级在-6.5eV～-7.5eV，玻璃化转变温度在50℃～100℃，所述钠盐与所述有机电子传输材料的质量比为1:10～1:2，通过璇涂方式在所述钠盐掺杂层表面制备所述聚合物掺杂层，所述聚合物掺杂层材料包括硅化合物及掺杂在所述硅化合物中的聚噻吩材料，所述硅化合物材料选自一氧化硅、二氧化硅和硅酸钠中至少一种，所述聚噻吩材料为重量比为2:1～6:1的聚3，4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸盐水溶液混合物，其中，所述聚3，4-二氧乙烯噻吩相对水的质量分数为1%～5%，所述硅化合物与所述聚噻吩质量比为1:20～1:10。

6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述热阻蒸镀方式的工艺具体为：工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，工作电流为1A～3A，有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述璇涂方式的工艺具体为：旋涂的转速为1000rpm～5000rpm，时间为10s～30s，旋涂后在100℃～200℃下加热15min～60min。

8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述有机电子传输材料选自2，2'-(1，3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-恶二唑]、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲和2，8-二（二苯膦氧基）二苯并[b，d]噻吩中至少一种。

9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述钠盐掺杂层的厚度为10nm～40nm，所述聚合物掺杂层的厚度为200nm～800nm。