[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层和封装层，所述阳极导电基板和所述封装层形成封闭空间，所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层容置在所述封闭空间内，其特征在于，所述封装层包括依次层叠的保护层、硒化物层、有机硅层和聚对苯二甲酸乙二酯膜；

所述保护层的材质为酞菁铜、N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、八羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌；

所述硒化物层的材质为硒化锑、硒化钼、硒化铋、二硒化铌、二硒化钽或硒化亚铜；

所述有机硅层的材质为聚[(3-(二（三氟甲基）(甲氧基)硅基)丙基)二（三氟甲基）(甲基)硅烷]、聚[(3-(二（五氟乙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（五氟乙基）(甲基)硅烷]或聚[(3-(二（七氟丙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（七氟丙基）(甲基)硅烷]。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述硒化物层的厚度为100～150nm。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机硅层的厚度为1μm～1.5μm。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述保护层的厚度200nm～300nm。

5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在洁净的阳极导电基板上采用真空蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层；

（2）在所述阴极层上制备封装层，得到所述有机电致发光器件，所述封装层的制备方法如下：

在所述阴极层上采用真空蒸镀的方法制备保护层，然后在所述保护层上采用磁控溅射的方法制备硒化物层，所述保护层的材质为酞菁铜、N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、八羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌，所述硒化物层的材质为硒化锑、硒化钼、硒化铋、二硒化铌、二硒化钽或硒化亚铜；所述磁控溅射时的本底真空度为1×10^-5Pa～1×10^-3Pa；

提供聚对苯二甲酸乙二酯膜，在所述聚对苯二甲酸乙二酯膜上采用先旋涂后曝光的方法制备有机硅层，具体操作为：首先在所述聚对苯二甲酸乙二酯膜上旋涂2,2,6,6-四(三氟甲基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷、2,2,6,6-四(五氟乙基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷或2,2,6,6-四(七氟丙基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷，然后采用紫外光进行固化处理，得到设置有有机硅层的聚对苯二甲酸乙二酯膜，将所述设置有有机硅层的聚对苯二甲酸乙二酯膜覆盖在所述硒化物层的表面，得到依次层叠的保护层、硒化物层、有机硅层和聚对苯二甲酸乙二酯膜；所述有机硅层的材质为聚[(3-(二（三氟甲基）(甲氧基)硅基)丙基)二（三氟甲基）(甲基)硅烷]、聚[(3-(二（五氟乙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（五氟乙基）(甲基)硅烷]或聚[(3-(二（七氟丙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（七氟丙基）(甲基)硅烷]；旋涂速度为2000rpm～4000rpm，旋涂时间为15s～30s，紫外光光强为10mW/cm²～15mW/cm²，曝光时间为200s～300s；

在所述设置有有机硅层的聚对苯二甲酸乙二酯膜的边缘涂布环氧树脂封装胶，由紫外光固化的方式干燥硬化封装胶，将所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层、保护层、硒化物层和有机硅层封装在所述聚对苯二甲酸乙二酯膜和阳极导电基板形成的封闭空间内。

6.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述保护层的蒸镀条件为：真空度为3×10^-5Pa～8×10^-5Pa，蒸镀速率为

7.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，在所述聚对苯二甲酸乙二酯膜的边缘涂布环氧树脂封装胶的厚度为1μm～1.5μm，用紫外光进行固化时，光强为10mW/cm²～15mW/cm²，曝光时间为300s～400s。

8.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述硒化物层的厚度为100nm～150nm。