[发明专利]存储器件以及存储器件和存储系统的操作方法

说明书

一种存储器件的操作方法包括以下步骤：进入修复模式；接收激活命令和故障地址，并且暂时储存接收的命令和地址；接收写入命令，并且判定是否执行编程操作；当判定出要执行编程操作时，将暂时储存的故障地址编程到可编程储存单元中；以及在暂时储存的故障地址的编程完成之前接收预充电命令。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年4月4日提交的申请号为10-2013-0036707的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种半导体器件设计技术，更具体而言，涉及一种与用于存储器件的修复操作相关的技术。

背景技术

图1是用于解释在传统的存储器件（例如，DRAM）中的修复操作的框图。

图1说明与在存储器件内部的一个存储体相对应的配置。参见图1，存储器件包括存储器单元阵列110、行电路120、以及列电路130。存储器单元阵列110包括多个存储器单元。行电路120被配置成当行激活信号RACT被激活时将通过行地址R_ADD选中的行（或字线）使能，所述行激活命令RACT响应于激活命令而被激活以使能存储器单元阵列110中的字线、并且响应于预充电命令而被去激活以禁止字线。列电路130被配置成当内部读取命令RD或者内部写入命令WR被激活时存取（例如，读取或写入）通过列地址C-ADD选中的列（或者位线）的数据。

行熔丝电路140被配置成将与存储器单元阵列110内的有缺陷的存储器单元相对应的行地址作为修复行地址REPAIR_R_ADD储存。行比较器150被配置成将储存在行熔丝电路140中的修复行地址REPAIR_R_ADD与从存储器件外部输入的行地址R_ADD进行比较。当修复行地址REPAIR_R_ADD与行地址R_ADD一致时，行比较器150控制行电路120以使能冗余字线而不是由行地址R_ADD表示的字线。即，与储存在行熔丝电路140中的修复行地址REPAIR_R_ADD相对应的行用存储器单元阵列110内的冗余行来替换。

这里，DQs表示数据或数据焊盘。

照惯例，激光熔丝主要用作熔丝电路140。激光熔丝根据熔丝是否被切断来储存逻辑高或逻辑低数据。激光熔丝可以在晶圆状态下被编程，并且不可以在晶圆被安装在封装体中之后被编程。此外，因为线节距（pitch）的限制，激光熔丝不可以用小的电路面积来设计。

为了克服这种问题，如在US专利号为6904751、6777757、6667902、7173851以及7269047的专利中公开的包括电熔丝（E-熔丝）阵列电路、NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、磁性随机存取存储器（MRAM）、自旋转移力矩磁性随机存取存储器（STT-MRAM）、阻变随机存取存储器（ReRAM）、或者相变随机存取存储器（PCRAM）的可编程储存单元被设置在存储器件内，并且修复信息（例如，故障地址）被储存在可编程的储存单元中。

图2是说明包括一种用于储存修复信息的可编程储存单元的存储器件的框图。

参见图2，存储器件包括：多个存储体BK0至BK3、多个寄存器210_0至210_3、以及可编程储存单元201，所述多个寄存器210_0至210_3针对各个存储体BK0至BK3而被提供以储存修复信息。

可编程储存单元201替代图1中所示的熔丝电路140。可编程储存单元201储存与存储体BK0至BK3相对应的修复信息，例如故障地址。可编程储存单元201可以包括：E-熔丝阵列电路、NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、MRAM、STT-MRAM、ReRAM、以及PCRAM中的任意一种。