[发明专利]缺陷分析法

权利要求书

1.一种缺陷分析方法，包括步骤：

(1)对待测晶圆第N层薄膜进行缺陷检测，获得第N层薄膜中缺陷的数量和缺陷的坐标；

(2)判断第N层薄膜的缺陷数量是否超出预定标准；若超出预定标准，则进入步骤(3)，若未超出预定标准，则进入步骤(5)；

(3)使用缺陷分析系统对第N层薄膜的缺陷进行分析，得出第N层薄膜缺陷落入工作区杀伤待测晶圆良率的数量；

(4)判断杀伤待测晶圆良率的落入工作区缺陷的数量是否超出预定标准；若超出预定标准，则报废待测晶圆，若未超出预定标准，则进入步骤(5)；

(5)将第N层薄膜的缺陷与第N-1层薄膜的缺陷进行坐标叠加，得出第N层薄膜和第N-1层薄膜中落入工作区杀伤待测晶圆良率的缺陷的数量；

(6)判断第N层薄膜和第N-1层薄膜中落入工作区杀伤待测晶圆的缺陷的数量是否超出预定标准；若超出预定标准，则报废待测晶圆，若未超出预定标准，则进行后续的生产；

其中，所述N为大于0的自然数。

2.如权利要求1所述的缺陷分析方法，其特征在于，所述缺陷分析系统包括：

将所述待测晶圆表面分为所述工作区和虚拟区。

3.如权利要求2所述的缺陷分析方法，其特征在于，将第N层薄膜中均与第N-1层薄膜和第M层薄膜电路连接的部分定义为工作区，其中M为大于N的自然数。

4.如权利要求3所述的缺陷分析方法，其特征在于，将第N层薄膜中均与第N-1层薄膜电隔离能够实现电路功能的部分，以及第N层薄膜中均与第M层薄膜电隔离能够实现电路功能的部分，均定义为工作区。

5.如权利要求3所述的缺陷分析方法，其特征在于，将第N层薄膜中均与第N-1层薄膜电隔离用于改善所述待测晶圆表面的密集度的部分，以及第M层薄膜电隔离用于改善所述待测晶圆表面的密集度的部分，均定义为所述虚拟区。

6.如权利要求3所述的缺陷分析方法，其特征在于，在将第N层薄膜的缺陷与第N-1层薄膜的缺陷进行坐标叠加之后，再将第N层薄膜的缺陷与第M层薄膜的工作区进行坐标叠加，得出第N层薄膜的缺陷落入第M层薄膜的工作区中能杀伤待测晶圆良率的缺陷的数量。

7.如权利要求6所述的缺陷分析方法，其特征在于，判断第N层薄膜的缺陷落入第M层薄膜的工作区中能杀伤待测晶圆良率的缺陷的数量是否超出预定标准，若超出预定标准，则报废待测晶圆，若未超出预定标准，则进行后续的生产。