[发明专利]一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室

权利要求书

1.一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室，其特征在于，它包括：

具有双层管状结构的水冷壁，所述水冷壁的内管腔中设有反应室，而内、外管之间至少与所述反应室相应的区域内分布有冷却介质容置腔，

设于所述反应室内的加热基座，且所述加热基座上分布有一个以上凹槽， 

分布于所述加热基座与所述水冷壁内管之间的整流罩，以及，

至少绕设在所述水冷壁外壁上与所述反应室相应区域内的感应线圈。

2.根据权利要求1所述的使用射频加热的桶式CVD设备反应室，其特征在于，所述水冷壁具有双层圆管结构，所述水冷壁的内管腔为反应室，而内、外管之间为冷却介质容置腔。

3.根据权利要求1所述的使用射频加热的桶式CVD设备反应室，其特征在于，所述加热基座包括具有多面台型结构的石墨基座，且所述石墨基座的各侧面上均匀分布复数个凹槽，其中任一凹槽的直径和深度均与晶片的直径和厚度一致。

4.根据权利要求1或3所述的使用射频加热的桶式CVD设备反应室，其特征在于，所述整流罩包括具有多面桶式结构的石英整流罩，且所述石英整流罩的各侧面均与所述加热基座的各侧面平行。

5.根据权利要求3所述的使用射频加热的桶式CVD设备反应室，其特征在于，所述石墨基座的至少一侧面与竖直方向的夹角为3°。

6.根据权利要求3或5所述的使用射频加热的桶式CVD设备反应室，其特征在于，所述石墨基座表面有包覆SiC。

7.根据权利要求1所述的使用射频加热的桶式CVD设备反应室，其特征在于，所述感应线圈以与加热基座同心设置的方式均匀盘绕在所述水冷壁外壁上，且所述感应线圈的直径从上至下逐渐增大呈锥形结构。

8.根据权利要求7所述的使用射频加热的桶式CVD设备反应室，其特征在于，所述锥形结构与竖直方向之间的夹角为3°。

9.根据权利要求7所述的使用射频加热的桶式CVD设备反应室，其特征在于，所述感应线圈主要由空心紫铜管构成，并且所述空心紫铜管内通入有循环冷却介质。

10.根据权利要求1所述的使用射频加热的桶式CVD设备反应室，其特征在于，所述水冷壁包括双层石英圆管。

11.根据权利要求1所述的使用射频加热的桶式CVD设备反应室，其特征在于，所述射频加热的频率为1000-25000Hz。