[发明专利]MOS晶体管源漏形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种MOS晶体管源漏形成方法。

背景技术

金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管。现如今，MOS晶体管已经被广泛地用于大部分的数字电路及部分模拟电路中。

MOS晶体管包括布置在衬底中的源极和漏极，以及布置在衬底上的位于源极和漏极之间的栅极。

图1至图3示意性地示出了根据现有技术的MOS晶体管源漏形成方法的各个步骤。

具体地说，如图1至图3所示，根据现有技术的MOS晶体管源漏形成方法包括：首先，在形成有栅极结构40（例如，栅极结构40包括栅极氧化层和多晶硅层）的硅片10中，在栅极结构40两侧分别形成源极轻掺杂区20和漏极轻掺杂区30（如图1所示）；随后，在栅极结构40两侧形成栅极侧壁50（如图2所示）；随后，在形成栅极侧壁50的栅极结构40两侧的硅片中分别形成源极区域60和漏极区域70（如图3所示）。其中，例如，源极区域60和漏极区域70的截面为U形、sigma形或三角形。

但是，在根据现有技术的MOS晶体管源漏形成方法中，如图3所示，形成源极区域60和漏极区域70之后剩下的残留源极轻掺杂区21和残留漏极轻掺杂区31变得相当小。而在很多应用中，仅仅留下很小部分的残留源极轻掺杂区21 和残留漏极轻掺杂区31是不期望的。

因此，希望能够提供一种能够在源极区域和漏极区域上方分别形成较大的源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区的方案。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够在源极区域和漏极区域上方分别形成加大区域的源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区的MOS晶体管源漏形成方法。

为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种MOS晶体管源漏形成方法，其包括：在形成有栅极结构的硅片中，在栅极结构两侧分别形成源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区；在栅极结构两侧形成栅极侧壁；在形成栅极侧壁的栅极结构两侧的硅片中分别形成源极区域和漏极区域；在栅极结构所在的层，在硅片上形成阻挡层；此后，去除栅极结构两侧的侧壁，从而在栅极结构和阻挡层之间留下凹槽结构；利用栅极结构和阻挡层作为掩膜，对硅片进行离子注入，从而在硅片表面形成新源极轻掺杂区和新漏极轻掺杂区；在栅极结构和阻挡层之间留下凹槽结构中填充介质。

优选地，源极区域和漏极区域的截面为U形、sigma形或三角形。

优选地，源极区域和漏极区域的材料为SiGe或者SiC。

优选地，刻蚀阻挡层的材料为SiO2，SiON或SiN中的一种。

优选地，栅极侧壁的材料为氮化硅。

优选地，对于NMOS，离子注入中注入的离子为As离子、P离子、N离子、C离子和Ge离子等中的一种或几种。

优选地，对于PMOS，离子注入中注入的离子为BF2离子、In离子和B离子、N离子、C离子和Ge离子等中的一种或几种。

优选地，栅极结构包括栅极氧化层和多晶硅层。

优选地，介质的材料与栅极侧壁的材料相同。

优选地，介质的材料为氮化硅。

在根据本发明的MOS晶体管源漏形成方法中，在源极区域和漏极区域上方分别形成较大的新源极轻掺杂区和新漏极轻掺杂区，克服了原本的源极轻掺杂区及漏极轻掺杂区较小带来的缺陷。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1至图3示意性地示出了根据现有技术的MOS晶体管源漏形成方法的各个步骤。

图4至图7示意性地示出了根据本发明优选实施例的MOS晶体管源漏形成方法的各个步骤。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

图4至图7示意性地示出了根据本发明优选实施例的MOS晶体管源漏形成方法的各个步骤。

具体地说，如图1至图7所示，根据本发明优选实施例的MOS晶体管源漏形成方法包括：