[发明专利]MOS晶体管源漏形成方法有效
| 申请号： | 201310435686.2 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN104465382B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 形成 方法 | ||
1.一种MOS晶体管源漏形成方法，其特征在于包括：
在形成有栅极结构的硅片中，在栅极结构两侧分别形成源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区；
在栅极结构两侧形成栅极侧壁；
在形成栅极侧壁的栅极结构两侧的硅片中分别形成源极区域和漏极区域，剩下残留源极轻掺杂区和残留漏极轻掺杂区；
在栅极结构所在的层，在硅片上形成阻挡层；
此后，去除栅极结构两侧的侧壁，从而在栅极结构和阻挡层之间留下凹槽结构；
利用栅极结构和阻挡层作为掩膜，对硅片进行离子注入，从而在硅片表面形成新源极轻掺杂区和新漏极轻掺杂区，新源极轻掺杂区和新漏极轻掺杂区取代所述残留源极轻掺杂区和残留漏极轻掺杂区且变得更大；
在栅极结构和阻挡层之间留下凹槽结构中填充介质。
2.根据权利要求1所述的MOS晶体管源漏形成方法，其特征在于，源极区域和漏极区域的截面为U形、sigma形或三角形。
3.根据权利要求1或2所述的MOS晶体管源漏形成方法，其特征在于，源极区域和漏极区域的材料为SiGe或者SiC。
4.根据权利要求1或2所述的MOS晶体管源漏形成方法，其特征在于，阻挡层的材料为SiO2，SiON或SiN中的一种。
5.根据权利要求1或2所述的MOS晶体管源漏形成方法，其特征在于，栅极侧壁的材料为氮化硅。
6.根据权利要求1或2所述的MOS晶体管源漏形成方法，其特征在于，对于NMOS，离子注入中注入的离子为As离子、P离子、N离子、C离子和Ge离子中的一种或几种。
7.根据权利要求1或2所述的MOS晶体管源漏形成方法，其特征在于，对于PMOS，离子注入中注入的离子为BF2离子、In离子和B离子、N离子、C离子和Ge离子中的一种或几种。
8.根据权利要求1或2所述的MOS晶体管源漏形成方法，其特征在于，栅极结构包括栅极氧化层和多晶硅层。
9.根据权利要求1或2所述的MOS晶体管源漏形成方法，其特征在于，介质的材料与栅极侧壁的材料相同。
10.根据权利要求1或2所述的MOS晶体管源漏形成方法，其特征在于，介质的材料为氮化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
