[发明专利]一种无色差触摸屏及其生产工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种色差小的低电阻触摸屏，以及该类触摸屏的生产工艺。

背景技术

低电阻触摸屏质量受制于ITO（铟锡氧化物半导体透明导电膜）玻璃的颜色。随着面电阻的降低，ITO膜厚逐渐增加,薄膜开始呈现出不同的膜色,并且可见光透过率随着薄膜颜色的变化而发生变化，这样的变化会影响到触摸屏产品的视觉感受。而随着科技的快速发展，人们对产品的视觉感受要求越来越高，由于低电阻ITO膜层较厚，颜色较为明显，因此，蚀刻后的图案非常清晰，严重影响外观要求标准。

针对上述问题，为了满足客户需求，提升产品显示效果，目前，对于小屏幕触摸屏，采用减小缝隙的方法来降低电极和缝隙的可见度，但是这种方法对低电阻及大尺寸的屏幕效果较差，且受设备限制，成本较高，不良率也很高。对于大屏幕触摸屏，通过缩小缝隙的宽度，再将OCA光学胶（具有光学透明的一层特种双面胶）粘贴在盖板保护玻璃上，其结构如图1所示，通过高、低折射率介质膜材料膜厚叠加产生一定的光学干涉特性，实现消除ITO图案的效果，但是由于低电阻产品ITO膜颜色明显，与去除ITO部分色差非常明显，其低电阻ITO图案区域与间隙区域的反射率比较如图2所示，因此，对缝隙宽度要求非常高，这也导致产品不良率一直居高不下。

发明内容

本发明要解决目前行业技术中利用缩小图案之间的缝隙减少视觉上的差异而不能有效消除ITO图案的色差效果的技术问题。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为：一种无色差触摸屏，依次由基板玻璃、ITO图层、保护层构成，所述的ITO图层和保护层之间设有高折射率膜和低折射率膜，所述的低折射率膜位于高折射率膜和ITO图层之间。

所述的高折射率膜为二氧化钛或五氧化二铌。

所述的二氧化钛厚度为80±10埃，所述的五氧化二铌厚度为95±10埃。

所述的低折射率膜为二氧化硅。

所述的低折射率膜厚度为350±50埃。

所述的ITO图层厚度为1000埃以上。

所述的基板玻璃厚度为0.4-2.0mm。

一种无色差触摸屏生产工艺，

基板玻璃采用浮法工艺处理；

在基板玻璃浮法面采用真空磁控溅射方法依次镀制高折射率膜、低折射率膜和ITO层；

将ITO层制成ITO图层；

在ITO图层上制作一层保护层。

本发明的优点在于通过在ITO膜层下分别镀高、低折射率的膜层，利用光学手段，从根本上消除ITO膜的颜色，如图4所示，达到消除ITO图案的效果，从而有效的提升了产品显示效果。

附图说明

下面对本发明说明书中每幅附图表达的内容及图中的标记作简要说明：

图1为目前生产的无色差触摸屏；

图2为目前生产的无色差触摸屏ITO图案区域与间隙区域的反射率曲线图；

图3为本专利无色差触摸屏结构；

图4为本专利无色差触摸屏结构ITO图案区域与间隙区域的反射率曲线图；

上述图中的标记均为：1、基板玻璃；2、阻挡层；3、ITO图层；4、ITO图案间隙；5、贴合光学胶；6、保护层；7、高折射率膜；8、低折射率膜。

具体实施方式

参见图3可知，无色差触摸屏依次由基板玻璃1、高折射率膜7、低折射率膜8、ITO图层3和保护层6构成，通过高、低折射率介质膜材料及不同λ/4倍数的膜厚叠加产生一定的光学干涉特性，抵消ITO膜层的颜色。

具体的说，高折射率膜7可以采用二氧化钛或五氧化二铌，其中二氧化钛作为高折射率膜7时厚度为80±10埃,优选80埃，五氧化二铌作为高折射率膜7时厚度为95±10埃，优选90埃，低折射率膜8采用二氧化硅，其厚度为350±50，优选350埃。ITO图层3的厚度为1000埃以上，基板玻璃1的厚度为0.4-2.0mm，通过上述结构能够实现ITO图案的无色差化，如图4所示，有效提升显示效果。

上述无色差触摸屏生产工艺按照以下步骤进行：

基板玻璃1采用浮法工艺处理，厚度为0.4-2.0mm；

在基板玻璃1浮法面采用真空磁控溅射方法依次镀制高折射率膜7、低折射率膜8和ITO层；

将ITO层制成ITO图层3，主要采用触摸屏黄光光刻或丝印技术；

在ITO图层3上制作一层OC保护层6。

上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。