[发明专利]一种能消除负阻效应的RC-IGBT

权利要求书

1.一种能消除负阻效应的RC-IGBT，其结构包括器件有源区、器件过渡区和器件终端区；

所述器件有源区包括P型集电区（10）、N-漂移区（6）、位于P型集电区（10）和N-漂移区（6）之间的N型缓冲层（8），所述N-漂移区（6）表面具有多个均匀分布的P型体区（5），所述P型体区（5）中具有与发射极金属相连的N+源区（1）；所述器件有源区还包括器件栅极结构，所述栅极结构由栅氧化层（3）和多晶硅栅电极（2）构成，其中栅氧化层（3）位于多晶硅栅电极（2）与P型体区（5）和N-漂移区（6）之间；

所述器件过渡区包括N型集电区（9）、N-漂移区（6）、位于N型集电区（9）和N-漂移区（6）之间的N型缓冲层（8），过渡区的N-漂移区（6）表面具有与发射极金属相连的P型过渡区；

所述器件终端区包括P型集电区（10）、N-漂移区（6）、位于P型集电区（10）和N-漂移区（6）之间的N型缓冲层（8）；

所述器件过渡区在器件横向方向上位于器件有源区和器件终端区之间。

2.根据权利要求1所述的能消除负阻效应的RC-IGBT，其特征在于，所述器件过渡区环绕器件有源区。

3.根据权利要求1或2所述的能消除负阻效应的RC-IGBT，其特征在于，所述器件栅极结构为平面栅结构，其中栅氧化层（3）位于部分P型体区（5）和N-漂移区（6）表面，多晶硅栅电极（2）位于栅氧化层（3）表面。

4.根据权利要求1或2所述的能消除负阻效应的RC-IGBT，其特征在于，所述器件栅极结构为沟槽栅结构，其中多晶硅栅电极（2）向下穿过P型体区（5）并延伸入N-漂移区（6）。

5.根据权利要求1或2所述的能消除负阻效应的RC-IGBT，其特征在于，所述N-漂移区（6）内部具有均匀分布且平行于器件纵向方向的P型柱区（7），形成超结漂移区结构。