[发明专利]一种半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有虚拟栅极介电层；

去除所述虚拟栅极介电层，以露出所述半导体衬底；

在露出的所述半导体衬底上形成化学氧化物层；

执行热处理步骤，以在所述化学氧化物层表面形成热氧化物层；

对所述热氧化物层进行湿法清洗，以降低所述化学氧化物层和所述热氧化物层的总厚度并使所述化学氧化物层和所述热氧化物层组成的栅极介电层表面更加平滑。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选用氨水和双氧水的混合溶液对所述热氧化物层进行湿法清洗。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底上还形成有虚拟栅极，所述虚拟栅极位于所述虚拟栅极介电层上方。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在去除所述虚拟栅极介电层之前还包括去除所述虚拟栅极的步骤。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，选用湿法蚀刻去除所述虚拟栅极，或者先干法蚀刻再湿法蚀刻去除所述虚拟栅极。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述湿法蚀刻中选用TMAH。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选用稀释的氢氟酸去除所述虚拟栅极介电层。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述化学氧化物层的方法为：

选用浓度为10-80PPM的臭氧水作为反应液，喷至露出的所述半导体衬底上，在室温下反应1-5min，以形成所述化学氧化物层。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述化学氧化物层的方法为：

选用体积比为H₂SO₄：H₂O₂＝1-5:1的反应液进行反应，控制反应温度为120-180℃，反应时间为1-5min，以形成所述化学氧化物层。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述化学氧化物层的方法为：

选用体积比为NH₄OH:H₂O₂:H₂O＝1:1-4:50-200的反应液进行反应，控制反应温度为25-40℃，反应时间为1-5min，以形成所述化学氧化物层。

11.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，选用氨水和双氧水混合液进行湿法清洗的步骤为：

选用体积比为NH₄OH:H₂O₂:H₂O＝1:1-4:50-200的反应液进行反应，控制反应温度为25-40℃，反应时间为1-5min，以降低所述化学氧化物层和所述热氧化物层的厚度。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选用氨水和双氧水混合液对所述热氧化物层进行湿法清洗，将所述化学氧化物层和所述热氧化物层的总厚度降低至8埃。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理步骤中选用快速热氧化方法。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述热氧化物层进行湿法清洗之后，所述方法还包括形成金属栅极结构的步骤。