[发明专利]一种铼基难熔金属混杂管的制备方法有效
申请号: | 201310410630.1 | 申请日: | 2013-09-11 |
公开(公告)号: | CN103727317A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 陈照峰;聂丽丽 | 申请(专利权)人: | 太仓派欧技术咨询服务有限公司 |
主分类号: | F16L9/02 | 分类号: | F16L9/02;B32B1/08;B32B5/18;B32B15/01 |
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地址: | 215400 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铼基难熔 金属 混杂 制备 方法 | ||
1.一种铼基难熔金属混杂管的制备方法,包括镍涂层、铼泡沫层、金属铼层和铱涂层,其特征在于包括下述顺序的步骤:
(1)将一定厚度的聚氨酯泡沫管热解制成碳泡沫管;
(2)以ReCl5为前驱体,通过CVD的方法在碳泡沫孔壁沉积铼薄膜,得到铼泡沫管;
(3)以ReCl5为前驱体,通过CVD的方法在铼泡沫内表面制备铼金属层;
(4)采用CVD的方法在铼金属层表面制备一定厚度的铱涂层;
(5)采用电铸的方法在管材的最外层,即铼泡沫管的外表面制备一定厚度的镀镍层。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于所述的碳泡沫管是通过聚氨酯泡沫管热解得到的,具体的工艺过程是:先在空气中、200~255℃下将聚氨酯泡沫管加热;接着使基体材料在惰性气氛中、700~900℃下碳化。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于所述的CVD法沉积铼薄膜和铼金属层的工艺过程是:将碳泡沫管外表面用石墨纸包裹后放入CVD炉中,温度设置为900~1200℃,ReCl5分子吸附在碳泡沫管内表面并分解出铼原子,铼原子均匀地附着在碳泡沫孔隙内壁,最终形成一种内表面覆有铼金属层的铼泡沫管。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于所述的CVD铱涂层的具体制备工艺是:以三乙酰丙酮铱为先驱体,在180~250℃使其挥发,在加热到500~600℃的基底上发生分解沉积。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于所述的电铸镍涂层的具体条件是:以硫酸镍为主盐,温度40~60℃,直流供电,电流密度为1.0~3.0A/dm2。
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