[发明专利]一种50μm超薄芯片生产方法

权利要求书

1. 一种50μm超薄芯片生产方法，其特征在于，该生产方法具体按以下步骤进行：

步骤1：晶圆正面贴膜、切膜

在晶圆图形表面贴覆胶膜；然后切膜，切膜时根据晶圆定位边形状，设置对应的刀片运行轨迹参数和切膜速度，确保切膜刀片的运行轨迹随胶膜定位边而发生变化；切膜刀在接触晶圆边缘时的下刀速度为10～30mm/sec，切膜时，切膜刀与晶圆平面之间的夹角为65°～90°；

步骤2：减薄

采用具备12吋尺寸超薄晶圆减薄能力的全自动减薄机，先自动上料、定位，而后进行减薄： 

粗磨范围：从原始晶圆厚度＋胶质层厚度+胶膜保护层厚度到最终晶圆厚度＋胶质层厚度＋胶膜保护层厚度＋60μm，轴向进给速度100～500μm/min，减薄轮转速2000rpm～2400rpm；

精磨范围：从最终晶圆厚度＋胶质层厚度＋胶膜保护层厚度＋60μm到最终晶圆厚度＋胶质层厚度＋胶膜保护层厚度＋25μm；

抛光范围：从最终晶圆厚度＋胶膜层厚度＋胶膜保护层厚度＋25μm到最终晶圆厚度＋胶质层厚度＋胶膜保护层厚度＋10μm；

腐蚀范围：从最终晶圆厚度＋胶膜层厚度＋胶膜保护层厚度＋10μm到最终晶圆厚度＋胶膜层厚度＋胶膜保护层厚度，腐蚀速度1μm/sec；腐蚀后进行清洗；

步骤3：减薄后的晶圆背面绷膜

对于芯片尺寸大于等于2.0mm×2.0mm的晶圆，用普通划片胶膜，先在减薄后的晶圆背面自动绷膜贴片，然后揭去晶圆正面胶膜，自动上下料；

对于芯片尺寸小于2.0mm×2.0mm的晶圆，选用UV胶膜，先在减薄后的晶圆背面自动绷膜贴片，然后揭去正面胶膜，自动下料；

步骤4：划片

在8吋及其以上尺寸超薄晶圆全自动划片机上采用双轴划片技术的阶梯模式和防裂片划片工艺进行划片，完成50μm超薄芯片的生产。

2. 根据权利要求1所述50μm超薄芯片生产方法，其特征在于，所述步骤1中在晶圆图形表面贴覆的胶膜采用半导体专用UV胶膜。

3. 根据权利要求1所述50μm超薄芯片生产方法，其特征在于，所述步骤1中，当一片切膜刀切割胶膜的数量达到1000pcs时，更换切膜刀。

4. 根据权利要求1所述50μm超薄芯片生产方法，其特征在于，所述步骤2中，粗磨时，采用粒度325#～600# 的金刚石研磨轮；精磨时，采用粒度2000#～4000#的金刚石研磨轮。

5. 根据权利要求1所述50μm超薄芯片生产方法，其特征在于，所述步骤2的精磨过程中，研磨轮采用不同的速度段进给：从最终晶圆厚度＋胶质层厚度＋胶膜保护层厚度＋60μm到最终晶圆厚度＋胶质层厚度＋胶膜保护层厚度＋40μm，进给速度0.7μm/sec；从最终晶圆厚度＋胶质层厚度＋胶膜保护层厚度＋40μm到最终晶圆厚度＋胶质层厚度＋胶膜保护层厚度＋30μm，进给速度0.5μm/sec；从最终晶圆厚度＋胶质层厚度＋胶膜保护层厚度＋30μm到最终晶圆厚度＋胶质层厚度＋胶膜保护层厚度＋25μm，进给速度0.2μm/sec。

6. 根据权利要求1所述50μm超薄芯片生产方法，其特征在于，所述步骤2的抛光过程中，从最终晶圆厚度＋胶膜层厚度＋胶膜保护层厚度＋25μm到最终晶圆厚度＋胶质层厚度＋胶膜保护层厚度＋18μm，转速为210rpm；从最终晶圆厚度＋胶膜层厚度＋胶膜保护层厚度＋18μm到最终晶圆厚度＋胶质层厚度＋胶膜保护层厚度＋13μm，转速为160rpm；从最终晶圆厚度＋胶膜层厚度＋胶膜保护层厚度＋13μm到最终晶圆厚度＋胶质层厚度＋胶膜保护层厚度h2＋10μm ，转速为120rpm。

7. 根据权利要求1所述50μm超薄芯片生产方法，其特征在于，所述步骤3中，晶圆背面绷膜贴片后，晶圆与胶膜间无气泡、杂质、皱褶；胶膜与绷膜环接触良好，胶膜边缘无起皮现象；胶膜边缘平整，无胶膜丝、胶膜屑；绷膜环边缘的胶膜尺寸一致，无移位现象；所贴晶圆确保在胶膜正中央； 晶圆定位边与绷膜环的定位边要对应。