[发明专利]连接线的形成方法有效
| 申请号： | 201310407726.2 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN104425364B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 吴兵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 连接线 形成 方法 | ||
1.一种连接线的形成方法，包括步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上设有多个器件结构，所述器件结构之间暴露出部分半导体衬底，在所述器件结构、暴露出的半导体衬底表面形成有层间介质层；
刻蚀所述层间介质层，暴露出所述器件结构的顶部和部分半导体衬底；
在暴露的半导体衬底的表面形成接触层，所述接触层自下而上依次包括第一接触层、第二接触层以及第三接触层；
采用退火工艺对所述接触层进行处理，全部所述第一接触层、第二接触层和部分所述第三接触层与部分所述半导体衬底发生反应，形成低阻值的材料层；
在所述器件结构的顶部以及接触层的表面形成连接线。
2.如权利要求1所述的连接线的形成方法，其特征在于，所述器件结构为闪存结构，包括浮栅、闪存介质层以及控制栅。
3.如权利要求2所述的连接线的形成方法，其特征在于，所述控制栅表面形成有自对准区。
4.如权利要求1所述的连接线的形成方法，其特征在于，所述器件结构的侧壁形成有侧墙。
5.如权利要求4所述的连接线的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材质为氮化硅或氧化硅。
6.如权利要求1所述的连接线的形成方法，其特征在于，所述第一接触层的材质为硅或锗硅。
7.如权利要求6所述的连接线的形成方法，其特征在于，所述第一接触层采用外延方式形成。
8.如权利要求6所述的连接线的形成方法，其特征在于，所述第一接触层的厚度范围是10埃～30埃。
9.如权利要求1所述的连接线的形成方法，其特征在于，所述第二接触层的材质为铂。
10.如权利要求9所述的连接线的形成方法，其特征在于，所述第二接触层采用原子沉积方式形成。
11.如权利要求9所述的连接线的形成方法，其特征在于，所述第二接触层的厚度范围是10埃～50埃。
12.如权利要求1所述的连接线的形成方法，其特征在于，所述第三接触层的材质为镍。
13.如权利要求12所述的连接线的形成方法，其特征在于，所述第三接触层采用原子沉积方式形成。
14.如权利要求12所述的连接线的形成方法，其特征在于，所述第三接触层的厚度范围是50埃～200埃。
15.如权利要求1所述的连接线的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的温度范围是200摄氏度～300摄氏度。
16.如权利要求15所述的连接线的形成方法，其特征在于，所述退火工艺时间范围是0.2s～30s。
17.如权利要求1所述的连接线的形成方法，其特征在于，在采用退火工艺对所述第三接触层进行处理之后，形成连接线之前，对所述第三接触层进行清理处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
