[发明专利]用于通过检验技术判断半导体重叠工艺窗口的方法及系统

权利要求书

1.一种方法，其包含：

将半导体装置的第一布局层的第一图案转移至衬底的第一测试区与第二测试区上方所形成的材料层；

将该半导体装置的第二布局层的第二图案转移至该第一测试区上方所形成的该材料层，该第一与第二布局层彼此空间性相关以便界定重叠区；

将该第二图案的几何调制版本转移至该第二测试区上方所形成的该材料层；以及

判断介于该第一测试区与该第二测试区间该材料层中的结构差异以便评定关于该重叠区的工艺余裕。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，将该第二图案的几何调制版本转移至该第二测试区上方所形成的该材料层包含施加该第二图案相对于该第一图案的预界定侧向平移。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，将该第二图案的几何调制版本转移至该第二测试区上方所形成的该材料层包含通过使用具有不同临界尺寸的该第二图案的至少一些图案特征提供该几何调制版本。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，将该第二图案的几何调制版本转移至该第二测试区上方所形成的该材料层包含修改该第二图案的至少一些图案特征的侧向尺寸并且以修改过的侧向尺寸施加预界定侧向平移于具有所述至少一些特征的该第二图案。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，将该第一与第二图案的至少一个转移至该材料层包含实施微影处理以及至少一蚀刻处理。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，将该第一图案转移至该材料层包含实施第一蚀刻处理以及其中，将该第二图案与该第二图案的该几何调制版本转移至该材料层包含实施第二蚀刻处理。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，该第一与第二蚀刻处理通过使用相同的工艺配方予以实施。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，转移该第一与第二图案与该第二图案的该调制版本包含实施一系列微影处理而未用到蚀刻处理。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，该材料层为均质材料层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，该材料层包含第一子层以及第二子层。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，判断介于该第一测试区与该第二测试区间的结构差异包含实施衬底检验程序。

12.一种方法，其包含：

在衬底的第一测试区中所形成的材料层中由半导体装置的第一布局层与第二布局层形成第一组合图案，该第一与第二布局图案界定重叠区；

在该衬底的第二测试区中所形成的该材料层中由该第一布局层与该第二布局层形成第二组合图案，该第二组合图案相对于该第一组合图案包括几何调制；以及

在该第一与第二测试区中至少对该重叠区实施检验程序。

13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包含通过使用该检验程序的结果判断处理流程及该重叠区的布局设计的至少一个的正确性。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，该第一与第二组合图案通过使用双重曝照微影处理程序予以形成。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，该第一与第二组合图案的各个通过循序使用第一微影/蚀刻程序以及第二微影/蚀刻程序予以形成。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，相同的蚀刻配方用在该第一与第二微影/蚀刻程序。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，不同的蚀刻配方用在该第一与第二微影/蚀刻程序。

18.根据权利要求12所述的方法，其进一步包含通过使用该第一布局层与该第二布局层之一中至少一些图案特征的侧向平移及尺寸变异的至少一个产生该几何调制。

19.根据权利要求12所述的方法，其进一步包含在该衬底的第三测试区中所形成的该材料层中由该第一布局层与该第二布局层形成第三组合图案，其中，该第三组合图案相对于该第一与第二组合图案包括几何调制。

20.一种重叠侦测系统，其包含：

经配置用以从包含第一组合图案的第一测试区取得第一检验数据并且用以从包含第二组合图案的第二测试区取得第二检验数据的检验工具，该第一与第二组合图案各由半导体装置的第一布局层与第二布局层所形成，该第二组合图案相对于该第一组合图案包括几何调制；以及

操作性地予以连接以接收该第一与第二检验数据以及经配置通过比较该第一与第二检验数据并且由其判断该第一与第二组合图案间结构差异的控制器。