[发明专利]一种β-Zn4Sb3单晶热电材料的制备方法

权利要求书

1.一种β-Zn₄Sb₃单晶热电材料的制备方法，将Zn、Sb、Sn 三种元素按一定的配比称量后制备出β-Zn₄Sb₃单晶材料。

2.根据权利要求1所述的β-Zn₄Sb₃单晶材料的制备方法，其特征是使用Sn作为熔剂。

3.根据权利要求1所述的β-Zn₄Sb₃单晶材料的制备方法，其特征是将Zn、Sb、Sn 三种元素按一定配比称量混合后采用真空熔融缓冷技术制备而成，其制备工艺分三步进行：第一步：熔融合成，在真空或惰性气体保护下的坩埚内熔融按一定配比称量的Zn、Sb、Sn原料，熔融温度为853~1023K，时间为5~10h，第二步：缓慢冷却，将上述坩埚快速降温到753~853K后缓慢降温到723~753K，而后让其在593~673K处保温等待Sn分离，第三步：剩余Sn分离，采用离心分离将剩余的Sn与生长出的单晶分离。