[发明专利]透明电极基板、其制造方法以及图像显示装置在审

专利信息
申请号: 201310400104.7 申请日: 2013-09-05
公开(公告)号: CN103677397A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 恒川诚 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 透明 电极 制造 方法 以及 图像 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及透明电极基板、其制造方法以及图像显示装置,详细而言涉及透明电极基板的制造方法、通过该方法得到的透明电极基板、以及具备该透明电极基板的图像显示装置。

背景技术

以往,已知有使用设有透明电极的透明电极基板作为触摸面板用于液晶显示装置等图像显示装置。

例如,公开有一种透明电极基板,其是通过在玻璃基板上,将图案化成规定图案的铟锡氧化物(ITO)层、铜层(铜单层镀覆)、金层(电解镀覆层)依次层叠而得到的(例如,参照日本特开平6-148661号公报。)。

日本特开平6-148661号公报中,利用位于透明电极基板的最表面上的金层(电解镀覆层)防止铜层的腐蚀,以保护铜层。

发明内容

然而,根据透明电极基板的用途,需要首先在玻璃基板的上表面整面依次层叠ITO层、铜层以及金层,之后,将这些层叠部分利用蚀刻图案化成所希望的形状。

然而,存在由于金层的化学稳定性高难以蚀刻,因此不能将层叠部分图案化成所希望的形状的问题。

本发明的目的在于提供:具备能够容易地图案化的导体层的透明电极基板、其制造方法以及图像显示装置。

本发明的透明电极基板的特征在于,具备绝缘基板和在前述绝缘基板的至少厚度方向单侧形成的导体层;前述导体层具备:在前述绝缘基板的前述厚度方向单侧形成的透明导体层,在前述透明导体层的前述厚度方向单侧形成的、使前述导体层的电阻减少的低电阻化层,和在前述低电阻化层的前述厚度方向单面由易蚀刻材料形成的保护层。

另外,本发明的透明电极基板中,前述易蚀刻材料优选为选自镍、锡以及镍铜合金的至少一种金属。

另外,本发明的透明电极基板中,优选的是,前述透明导体层由铟锡氧化物形成,前述低电阻化层由选自由铜、银以及金组成的组中的至少一种金属形成。

另外,本发明的透明电极基板中,优选的是,前述透明导体层形成于前述绝缘基板的前述厚度方向单侧整面,前述低电阻化层形成于前述透明导体层的前述厚度方向单侧整面,前述保护层形成于前述低电阻化层的前述厚度方向单面整面。

另外,本发明的透明电极基板中,优选前述导体层在前述绝缘基板上形成为导体图案。

另外,本发明的透明电极基板中,优选前述导体图案具备由前述导体层形成的引出布线和与前述引出布线连接而形成的、由前述透明导体层形成的透明电极。

另外,本发明的透明电极基板的制造方法的特征在于,具备:准备层叠板的准备工序,该层叠板具备绝缘基板和层叠在前述绝缘基板的至少厚度方向单侧的透明导体层;低电阻化工序,将低电阻化层层叠于前述透明导体层的前述厚度方向单侧;以及保护工序,在前述低电阻化层的前述厚度方向单面由易蚀刻材料形成保护层。

另外,本发明的透明电极基板的制造方法优选在前述保护工序之后,进一步具备图案化工序:将具备前述透明导体层、前述低电阻化层和前述保护层的导体层蚀刻而形成导体图案。

另外,本发明的透明电极基板的制造方法优选进一步具备如下的工序:通过从前述导体图案的一部分将前述保护层以及前述低电阻化层去除,由前述透明导体层形成透明电极,并且将对应于前述导体图案的剩余部分的前述导体层作为引出布线。

另外,本发明的图像显示装置的特征在于,具备透明电极基板;前述透明电极基板具备绝缘基板和在前述绝缘基板的至少厚度方向单侧形成的导体层;前述导体层具备:在前述绝缘基板的前述厚度方向单侧形成的透明导体层,在前述透明导体层的前述厚度方向单侧形成的、使前述导体层的电阻减少的低电阻化层,和在前述低电阻化层的前述厚度方向单面由易蚀刻材料形成的保护层。

另外,本发明的图像显示装置中,前述透明电极基板优选为触摸面板。

另外,本发明的图像显示装置优选为液晶显示装置。

通过本发明的透明电极基板的制造方法得到的本发明的透明电极基板具备在低电阻化层的厚度方向单面由易蚀刻材料形成的保护层,所以能够将包含在厚度方向单面形成有保护层的低电阻化层的导体层容易地蚀刻并图案化成图案化成所希望的形状。

因此,本发明的图像显示装置具备包含被高精度地图案化的导体层的透明电极基板,所以能够谋求可靠性的提高。

附图说明

图1为表示本发明的透明电极基板的制造方法的第一实施方式的工序图,

图1的(a)表示准备绝缘基板、层叠光学调节膜的工序;

图1的(b)表示在光学调节膜的上表面层叠透明导体层的工序;

图1的(c)表示在透明导体层的上表面层叠密合层的工序;

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