[发明专利]用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂、埋入式薄膜电阻的制备方法及埋入式薄膜电阻

说明书

技术领域

本发明涉及电子材料与元器件技术领域，特别是涉及一种用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂、埋入式薄膜电阻的制备方法及埋入式薄膜电阻。 

背景技术

随着集成电路高集成化、高密度化的发展，以及数字信号传输高频化和高速化的发展，要求印刷电路板（PCB）向着小型化、轻便化方向发展。埋嵌电阻技术能够节约大量的PCB安装表面积，从而能够增加PCB的布线自由度和集成密度。因此，埋嵌电阻技术将成为未来主流的封装技术，埋入式薄膜电阻成为当前研究的热点。 

目前，主要是以镍-铬（Ni-Cr）或镍-磷（Ni-P）等合金为埋阻材料，采用磁控溅射或化学镀的方法来制备埋入式薄膜电阻。与磁控溅射方法相比，化学镀覆的成本较低且利于大规模生产，但目前的化学镀制备埋入式薄膜阻的方法需要使用钯（Pd）等贵金属活化剂且在高温上进行化学镀覆。例如，使用含氯离子的Pd作为活化剂，在90±2℃的温度下进行化学镀膜。这样不仅增加了生产成本，也可能使镀液中带入氯离子，导致镀液的不稳定性。另外在较高的温度下，产生的蒸汽对周围的环境造成污染。 

发明内容

基于此，有必要提供一种不含有氯和钯的用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂。 

进一步，提供一种埋入式薄膜电阻的制备方法及由该方法制备得到的埋入式薄膜电阻。 

一种用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂，包括水、硫酸锌、DL-苹果酸钠和锌粉，其中，所述硫酸锌的浓度为20～200g/L、所述DL-苹果酸钠的浓度为10～50 g/L、所述锌粉的浓度为5～30g/L。 

一种埋入式薄膜电阻的制备方法，包括如下步骤： 

提供衬底； 

用上述用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂对所述衬底进行活化，得到活化后的衬底； 

采用化学镀法在所述活化后的衬底的表面上制备镍磷薄膜，得到层叠有镍磷薄膜的衬底； 

将PCB基板和所述层叠有镍磷薄膜的衬底进行压合，并使所述镍磷薄膜层叠于所述PCB基板上；及 

对所述衬底和镍磷薄膜进行刻蚀，得到埋入式薄膜电阻。 

在其中一个实施例中，用上述用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂对所述衬底进行活化的步骤之前包括在所述衬底上贴上感光膜，然后进行曝光的步骤。 

在其中一个实施例中，在所述衬底上贴上感光膜，然后进行曝光后，用上述用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂对所述衬底进行活化的步骤之前还包括对所述衬底进行洗涤的步骤。 

在其中一个实施例中，所述洗涤的步骤为先用洗涤剂进行洗涤，再用质量浓度为5%的硫酸溶液进行酸洗。 

在其中一个实施例中，所述衬底为铜箔，所述铜箔具有相对的光滑面和粗糙面，所述镍磷薄膜层叠于所述铜箔的粗糙面上。 

在其中一个实施例中，用上述用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂对所述衬底进行活化的步骤具体为：将上述用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂保持在20℃～60℃，再将所述衬底置于所述温度为20℃～60℃的活化剂中浸泡1分钟～10分钟。 

在其中一个实施例中，所述采用化学镀法在所述活化后的衬底的表面上制备镍磷薄膜，得到层叠有镍磷薄膜的衬底的步骤具体为：将所述活化后的衬底放入温度为20℃～90℃化学镀液中处理0.5分钟～5分钟。 

在其中一个实施例中，每升所述化学镀液含有硫酸镍5～80克、次亚磷酸氢钠5～80克、缓冲剂10～80克、稳定剂1～5毫克和络合剂10～80克。 

在其中一个实施例中，所述将PCB基板和所述层叠有镍磷薄膜的衬底进行压合，并使所述镍磷薄膜层叠于所述PCB基板上的步骤具体为：将所述层叠有镍磷薄膜的衬底放置于所述PCB基板上，并使所述镍磷薄膜层叠于所述PCB基板上，再将半固化片夹持于所述镍磷薄膜和PCB基板之间，抽真空、热处理后将所述层叠有镍磷薄膜的衬底贴合在所述PCB基板上。 

在其中一个实施例中，所述热处理的步骤为于100℃～140℃下保温1小时，再于140℃～180℃下保温1小时。 

在其中一个实施例中，所述对所述衬底和镍磷薄膜进行刻蚀的步骤包括： 

采用第一刻蚀液对所述衬底和镍磷薄膜进行刻蚀；及 

采用第二刻蚀液对所述衬底进行刻蚀。 

在其中一个实施例中，所述第一刻蚀液为硫代硫酸钠和无水硫酸铜的混合水溶液，所述第二刻蚀液为氯化铜、氯化铵和氨水的混合水溶液。 

一种由上述制备方法制备得到的埋入式薄膜电阻。