[发明专利]用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂、埋入式薄膜电阻的制备方法及埋入式薄膜电阻

权利要求书

1.一种用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂，其特征在于，包括水、硫酸锌、DL-苹果酸钠和锌粉，其中，所述硫酸锌的浓度为20～200g/L、所述DL-苹果酸钠的浓度为10～50g/L、所述锌粉的浓度为5～30g/L。

2.一种埋入式薄膜电阻的制备方法，包括如下步骤：

提供衬底；

用如权利要求1所述的用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂对所述衬底进行活化，得到活化后的衬底；

采用化学镀法在所述活化后的衬底的表面上制备镍磷薄膜，得到层叠有镍磷薄膜的衬底；

将PCB基板和所述层叠有镍磷薄膜的衬底进行压合，并使所述镍磷薄膜层叠于所述PCB基板上；及

对所述衬底和镍磷薄膜进行刻蚀，得到埋入式薄膜电阻。

3.根据权利要求2所述的埋入式薄膜电阻的制备方法，其特征在于，用如权利要求1所述的用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂对所述衬底进行活化的步骤之前包括在所述衬底上贴上感光膜，然后进行曝光的步骤。

4.根据权利要求3所述的埋入式薄膜电阻的制备方法，其特征在于，在所述衬底上贴上感光膜，然后进行曝光后，用如权利要求1所述的用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂对所述衬底进行活化的步骤之前还包括对所述衬底进行洗涤的步骤。

5.根据权利要求4所述的埋入式薄膜电阻的制备方法，其特征在于，所述洗涤的步骤为先用洗涤剂进行洗涤，再用质量浓度为5%的硫酸溶液进行酸洗。

6.根据权利要求2所述的埋入式薄膜电阻的制备方法，其特征在于，所述衬底为铜箔，所述铜箔具有相对的光滑面和粗糙面，所述镍磷薄膜层叠于所述铜箔的粗糙面上。

7.根据权利要求2所述的埋入式薄膜电阻的制备方法，其特征在于，用如权利要求1所述的用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂对所述衬底进行活化的步骤具体为：将如权利要求1所述的用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂保持在20℃～60℃，再将所述衬底置于所述温度为20℃～60℃的活化剂中浸泡1分钟～10分钟。

8.根据权利要求2所述的埋入式薄膜电阻的制备方法，其特征在于，所述采用化学镀法在所述活化后的衬底的表面上制备镍磷薄膜，得到层叠有镍磷薄膜的衬底的步骤具体为：将所述活化后的衬底放入温度为20℃～90℃化学镀液中处理0.5分钟～5分钟。

9.根据权利要求8所述的埋入式薄膜电阻的制备方法，其特征在于，每升所述化学镀液含有硫酸镍5～80克、次亚磷酸氢钠5～80克、缓冲剂10～80克、稳定剂1～5毫克和络合剂10～80克。

10.根据权利要求2所述的埋入式薄膜电阻的制备方法，其特征在于，所述将PCB基板和所述层叠有镍磷薄膜的衬底进行压合，并使所述镍磷薄膜层叠于所述PCB基板上的步骤具体为：将所述层叠有镍磷薄膜的衬底放置于所述PCB基板上，并使所述镍磷薄膜层叠于所述PCB基板上，再将半固化片夹持于所述镍磷薄膜和PCB基板之间，抽真空、热处理后将所述层叠有镍磷薄膜的衬底贴合在所述PCB基板上。

11.根据权利要求10所述的埋入式薄膜电阻的制备方法，其特征在于，所述热处理的步骤为于100℃～140℃下保温1小时，再于140℃～180℃下保温1小时。

12.根据权利要求2所述的埋入式薄膜电阻的制备方法，其特征在于，所述对所述衬底和镍磷薄膜进行刻蚀的步骤包括：

采用第一刻蚀液对所述衬底和镍磷薄膜进行刻蚀；及

采用第二刻蚀液对所述衬底进行刻蚀。

13.根据权利要求12所述的埋入式薄膜电阻的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀液为硫代硫酸钠和无水硫酸铜的混合水溶液，所述第二刻蚀液为氯化铜、氯化铵和氨水的混合水溶液。

14.一种由权利要求2～13任一项所述的制备方法制备得到埋入式薄膜电阻。