[发明专利]太阳能电池单晶硅片绒面的制备方法

权利要求书

1.太阳能电池单晶硅片绒面的制备方法，其特征在于：清洗单晶硅片后，将其放入第一碱性溶液中，在[100]晶向的单晶硅片正面表面上形成若干由四个[111]晶面构成的金字塔形状的四棱锥，这些四棱锥构成单晶硅片的第一层绒面，用酸性溶液清洗单晶硅片的第一层绒面，对四棱锥的四个[111]晶面活性处理，再将单晶硅片放入第二碱性溶液中，对四棱锥的四个[111]晶面进行腐蚀，形成三角形滑移面堆积的、分层的单晶硅片的第二层绒面，这两层绒面构成太阳能电池的高效光吸收结构，用酸性溶液清洗单晶硅片的绒面，再用热氧化法或PECVD法或磁控溅射法，在多层绒面结构的表面生长厚度为0.1～0.4um的二氧化硅膜或厚度为0.08～0.15um的氮化硅增透膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于清洗单晶硅片后，氧化单晶硅片正背两面，氧化层厚度为2900—3100埃，用以保护背面收集栅区域,且刻蚀掉单晶硅片正面光照区氧化层。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的单晶硅片表面的金字塔形状的四棱锥高度为1～12um。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是在于所述的单晶硅片第二层绒面上的三角形滑移面的底部长度为0.3～8um。

5.根据权利要求1的制备方法，其特征在于步骤如下：

1）单晶硅片的常规清洗；

2）氧化单晶硅片正背两面，且刻蚀掉单晶硅片正面光照区氧化层；

3）将处理过的单晶硅片放入第一碱性溶液中，并进行搅拌，使其反应，所述第一碱性溶液的配比为氢氧化钠或氢氧化钾或氢氧化锂质量百分数为1%～5%，硅酸钠的质量百分数为0.5%～3%，异丙醇的质量百分数为2%～7%，其余为去离子水，反应温度为65℃～85℃，反应时间为10～50分钟，形成完整的四个侧面为三角形的四棱锥构成的第一层绒面；

4）对第一层绒面的四棱锥的四个三角形侧面采用体积比为1:1的三氧化铬溶液和稀释的氢氟酸的酸性溶液进行活性处理1～10分钟，三氧化铬溶液的质量百分浓度为10%～40%，氢氟酸与水的体积百分比：HF：H₂O=1:5～10，然后用去离子水清洗；

5）将单晶硅片放入第二碱性溶液中，用磁力搅拌器搅拌或通入二氧化碳气体，使其反应形成第二层绒面，所述第二碱性溶液的配比为：氢氧化钾或氢氧化钠或氢氧化锂质量百分数为0.5%～3%，第一、二碱性溶液碱金属离子不同，硅酸钠的质量百分数为0.5%～3%，异丙醇的质量百分数为2%～7%，其余为去离子水，反应温度为65℃～85℃，反应时间为10～50分钟；

6）利用步骤4）中所述的酸性溶液去除单晶硅片表面的碱金属离子和化学反应生成的沉积物，然后用去离子水清洗；

7）再用热氧化法或PECVD法或磁控溅射法，在第一、二层绒面的表面生长0.1～0.4um的二氧化硅膜或0.08～0.15um的氮化硅增透膜。