[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有沟槽；

在所述半导体衬底表面形成具有流动性的前驱材料层，所述前驱材料层填充满所述沟槽；

在形成前驱材料层之后、进行退火处理之前，对所述前驱材料层进行微波处理，使所述前驱材料层转变成介质层，所述微波处理在H₂O蒸汽、O₃气体、H₂O液体或O₃的水溶液氛围下进行，所述微波处理的微波功率为50W～1000W，微波处理的温度为50℃～500℃，微波处理的时间为60s～2h；

在进行微波处理、形成介质层之后、进行平坦化处理之前，对所述介质层进行退火处理，所述退火处理包括第一退火处理和第二退火处理，或者是只进行第一退火处理。

2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述前驱材料层的材料中含有Si-H键、Si-N键或Si-N-H键，所述介质层的材料为SiO₂。

3.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，形成所述前驱材料层的方法为流动性化学气相沉积工艺。

4.根据权利要求3所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述流动性化学气相沉积工艺采用的反应前驱物至少包括硅烷、二硅烷、甲基硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷、四甲基硅烷、正硅酸乙酯、三乙氧基硅烷、八甲基环四硅氧烷、四甲基二硅氧烷、四甲基环四硅氧烷、三甲硅烷基胺、二甲硅烷基胺中的一种。

5.根据权利要求3所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述流动性化学气相沉积工艺在H₂和N₂混合气体、N₂、NH₃、NH₄OH、N₂H₄、NO、N₂O、NO₂、O₃、O₂、H₂O₂中的一种或几种气体氛围下进行。

6.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理包括氮气或惰性气体氛围下的第一退火处理，所述第一退火处理的温度为700℃～1000℃。

7.根据权利要求6所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理还包括第一退火处理之前的H₂O蒸汽氛围下的第二退火处理，所述第二退火处理的温度为300℃～500℃。

8.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有沟槽；

在所述半导体衬底表面形成具有流动性的含硅前驱材料层，所述前驱材料层填充满所述沟槽；

在形成前驱材料层之后、进行退火处理之前，对所述前驱材料层进行H₂O等离子体处理，使所述前驱材料层转变成介质层，所述H₂O等离子体处理的温度为25℃～500℃，所述H₂O的流量为50sccm～20slm，射频功率100W～1000W；

在进行H₂O等离子体处理、形成介质层之后、进行平坦化处理之前，对所述介质层进行退火处理，所述退火处理包括第一退火处理和第二退火处理，或者是只进行第一退火处理。

9.根据权利要求8所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述前驱材料层的材料中含有Si-H键、Si-N键或Si-N-H键，所述介质层的材料为SiO₂。

10.根据权利要求8所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，形成所述前驱材料层的方法为流动性化学气相沉积工艺。