[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201310380190.X | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104425375B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 林静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成凹槽；
对所述凹槽实施预处理，所述预处理中的烘焙处理包括先实施紫外光烘焙或者微波烘焙，再实施HCl氛围下的烘焙的步骤；
在所述凹槽的底部形成籽晶层；
在所述籽晶层上形成嵌入式锗硅层，以完全填充所述凹槽；
在所述嵌入式锗硅层上形成帽层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽为∑状凹槽。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，采用先干法蚀刻再湿法蚀刻的工艺形成所述∑状凹槽。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预处理包括下述步骤：先执行湿法清洗，以去除残留于所述凹槽的侧壁及底部的蚀刻残留物和杂质；再对所述半导体衬底实施所述烘焙处理。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述紫外光源于ArF准分子激光器、KrF准分子激光器或者Hg-Xe灯，所述紫外光烘焙或者所述微波烘焙的温度为200-700℃，处理时间为10-300s。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述紫外光烘焙或者所述微波烘焙在氘气、氢气或者氘气与氮气的混合气体的氛围下进行。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述HCl氛围下的烘焙的温度为200-850℃，处理时间为10-100s，压力为5-780Torr。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述籽晶层为具有低锗含量的锗硅层。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用选择性外延生长工艺形成所述籽晶层和所述嵌入式锗硅层。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用原位外延生长工艺形成所述帽层。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述帽层的构成材料为Si、SiB或者SiCB。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极结构包括依次层叠的栅极介电层、栅极材料层和栅极硬掩蔽层，所述栅极结构的两侧形成有紧靠所述栅极结构的偏移间隙壁结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
