[发明专利]垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子器件测试技术领域，特别是涉及垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的测试方法。

背景技术

随着垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（简称VDMOSFET）的规格和种类越来越多，使用方面也越来越广泛，电路设计越来越复杂，对VDMOSFET的质量、性能要求也越来越严格。在这种复杂化的发展进程中，原有对VDMOSFET特性分析和判定上的一些概念在部分保留的基础上，必将引入一些新的判定方法，以及新的概念和指标。

一般考虑在不同使用要求中，主要测量VDMOSFET的反向击穿电压、阈值电压、通态电阻RDON来对其不同产品规格型号进行判定和分类，以及进行成品和废品的区分。

目前的测试方法是VDMOSFET固有的测试方法，测试条件和范围是对几乎所有的常规VDMOSFET进行汇总，而VDMOSFET的性能高低或优良程度却没有被测量和评估。因此必须引入新的概念和指标来有效衡量VDMOSFET的性能。

发明内容

基于此，有必要提供一种能对VDMOSFET的性能进行有效衡量的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的测试方法。

一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的测试方法，包括以下步骤：

对晶体管施加测试电压并向所述晶体管的漏极注入取样电流，得到所述晶体管漏极和源极之间的第一电压；

改为注入测试电流，在给定的测试时间下，对所述晶体管加热；

改为注入所述取样电流，得到所述晶体管漏极和源极之间的第二电压；

将所述第一电压与所述第二电压做差，根据所述第一电压与所述第二电压的差值计算出所述晶体管的热阻。

在其中一个实施例中，所述测试电压的范围为1-250V，所述取样电流的设定范围为1-100mA，所述测试电流的设定范围为0.01A-20A。

在其中一个实施例中，所述测试电压为25V，所述取样电流为10mA，所述测试电流为2A。

在其中一个实施例中，还包括在测试过程中维持环境温度恒定的步骤。

在其中一个实施例中，先后注入的所述取样电流大小相同。

在其中一个实施例中，所述第一电压和所述第二电压是在所述晶体管达到热平衡时测得的。

本发明的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的测试方法，通过测量VDMOSFET在工作状态下发热前后漏极和源极之间的电压变化量，从而可以了解发热对VDMOSFET性能的影响，实现对VDMOSFET的性能进行衡量和评估。所述测试方法既可以满足使用要求，又可以更全面有效地VDMOSFET的整体性能进行评测和判定，并且该测试方法简单易行。

附图说明

图1为本发明的一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的测试方法流程图；

图2为本发明实施例中测试仪器接线框图；

图3为本发明实施例中第一电压测试过程示意图；

图4为本发明实施例中晶体管加热示意图；

图5为本发明实施例中第二电压测试过程示意图；

图6为采用本发明测试方法对某型号VDMOSFET进行测试的测试结果图。

具体实施方式

以下结合具体实施例对本发明做进一步的说明。

dVDS是VDMOSFET在工作状态下漏极D和源极S之间的变化量，dVDS的测试值越大，说明晶体管在工作过程中温度上升越高，即晶体管的热阻越大。因此可以通过dVDS的数值判断晶体管在工作过程中温度上升的高低，进而判断晶体管性能的优劣。

如图1所示，一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的测试方法，包括以下步骤：

步骤S110，对晶体管施加测试电压并向所述晶体管的漏极注入取样电流，得到所述晶体管漏极和源极之间的第一电压。