[发明专利]垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的测试方法有效
| 申请号： | 201310367767.3 | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103499782B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 全新;廖志强;张贵斌 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶导电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 测试 方法 | ||
1.一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：
对晶体管施加测试电压并向所述晶体管的漏极注入取样电流，得到所述晶体管漏极和源极之间的第一电压；
改为注入测试电流，在给定的测试时间下，对所述晶体管加热；
改为注入所述取样电流，得到所述晶体管漏极和源极之间的第二电压；
将所述第一电压与所述第二电压做差，根据所述第一电压与所述第二电压的差值计算出所述晶体管的热阻。
2.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的测试方法，其特征在于，所述测试电压的设定范围为1-250V，所述取样电流的设定范围为1-100mA，所述测试电流的设定范围为0.01A-20A。
3.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的测试方法，其特征在于，所述测试电压为25V，所述取样电流为10mA，所述测试电流为2A。
4.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的测试方法，其特征在于，还包括在测试过程中维持环境温度恒定的步骤。
5.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的测试方法，其特征在于，先后注入的所述取样电流大小相同。
6.根据权利要求1-5任一所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的测试方法，其特征在于，所述第一电压和所述第二电压是在所述晶体管达到热平衡时测得的。
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