[发明专利]发光器件

说明书

技术领域

本发明的实施方案涉及发光器件、制造发光器件的方法以及发光器件封装件。

背景技术

LED(发光器件)是将电能转换成光能的器件。近来，LED在亮度上有了改进，使得LED被广泛用作显示设备、车辆或照明设备的光源。

近来，开发了生成短波长光如蓝光或绿光以获取全色的高功率发光芯片。因此，可以通过在发光芯片上涂覆磷光体来获得能够发射具有各种颜色的光的发光二极管或者实现能够发射白光的发光二极管，其中磷光体部分吸收发光芯片发出的光以输出具有不同波长的光。

发明内容

实施方案提供一种发光器件，该发光器件包括设置在有源层的阱层之间的势垒层，并且势垒层中的每个势垒层具有多个势垒结构。

实施方案提供一种发光器件，该发光器件包括在有源层中相邻的阱层之间具有至少三个势垒结构的势垒层。

实施方案提供一种发光器件，该发光器件包括势垒层，该势垒层的厚度薄于有源层的阱层的厚度，并且该势垒层具有能带隙宽于三元化合物半导体的能带隙的多个势垒结构。

实施方案提供一种发光器件，该发光器件包括有源层，该有源层设置有具有第一能带隙的第一半导体层以及具有宽于第一能带隙的第二能带隙的第二半导体层和第三半导体层，并且第二半导体层和第三半导体层被分别设置在第一半导体层的顶表面和底表面上。

实施方案提供一种发光器件，在该发光器件中，在有源层中的势垒层中的至少之一包括多层，所述多层包括相邻于阱层的其铝(A1)含量大于其它的层的铝含量的至少两层。

实施方案提供一种发光器件，在该发光器件中，在有源层中的势垒层中的至少之一包括多层，所述多层包括相邻于阱层的其厚度薄于其它的层的厚度的至少两层。

实施方案提供一种发光器件，在该发光器件中，在有源层中的势垒层中的至少之一包括多层，所述多层中相邻于阱层的层的厚度薄于阱层的厚度。

实施方案提供一种发光器件，在该发光器件中，在有源层中的势垒层中的至少之一包括多层，所述多层包括相邻于阱层的其能带隙宽于其它的层的能带隙的至少两层。

实施方案提供一种发光器件，在该发光器件中，在有源层中的势垒层中的至少之一包括多层，所述多层包括相邻于阱层的其势垒高度高于其它的层的势垒高度的至少两层。

实施方案提供一种发光器件，在该发光器件中，在有源层中的势垒层中的至少之一包括多层，所述多层包括相邻于阱层的其晶格常数小于其它的层的晶格常数的至少两层。

根据实施方案，提供一种发光器件，包括：第一导电半导体层；在第一导电半导体层上的第二导电半导体层；以及在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层，有源层包括多个阱层和多个势垒层，其中阱层包括第一阱层和相邻于第一阱层的第二阱层，势垒层包括设置在第一阱层和第二阱层之间的第一势垒层，第一势垒层包括能带隙宽于第一阱层的能带隙的多个半导体层，并且该多个半导体层中相邻于第一阱层和第二阱层的至少两层的铝含量大于其它的层的铝含量。

根据实施方案，提供一种发光器件包括：包含n型掺杂剂的第一半导体层；在第一导电半导体层上的第二导电半导体层，第二导电半导体层包含p型掺杂剂；在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层，有源层包括多个阱层和多个势垒层；以及在有源层和第二导电半导体层之间的电子阻挡层，其中阱层包括第一阱层和相邻于第一阱层的第二阱层，势垒层包括设置在第一阱层和第二阱层之间的第一势垒层，第一势垒层包括能带隙宽于第一阱层的能带隙的多个半导体层，并且多个半导体层中相邻于第一阱层和第二阱层的至少两层的晶格常数小于其它的层的晶格常数，并且该至少两层的铝含量大于其它的层的铝含量。

附图说明

图1是示出根据第一实施方案的发光器件的侧视图；

图2是图1中所示的有源层的能带图；

图3是示出图2中所示的有源层的第一阱层和第一势垒层的详细视图；

图4是根据第一实例的图2所示有源层中的最后的势垒层和第二导电半导体层的能带图；

图5是根据第二实例的图2所示有源层中的最后的势垒层和第二导电半导体层的能带图；

图6是根据第三实例的图2所示有源层中的最后的势垒层和第二导电半导体层的能带图；

图7是根据第二实施方案的有源层的能带图；

图8是根据第三实施方案的有源层的能带图；

图9是示出图1中所示的发光器件的另一实例的视图；

图10是示出图1中所示的发光器件的另一实例的截面图；