[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法

权利要求书

1.一种等离子处理方法，是使用在处理室内形成的等离子来对在载置于真空容器的内部的上述处理室内的晶片上表面预先形成的膜构造所包含的处理对象的膜进行处理的等离子处理方法，该等离子处理方法具备：

检测在上述处理中从上述晶片表面得到的多个波长的干涉光的强度的步骤；

从在上述处理中的任意的时刻检测到的上述多个波长的干涉光强度检测它们的时间微分的时间系列数据的步骤；

使用与上述多个波长有关的上述时间系列数据来检测将波长作为参数的实微分波形图案数据的步骤；

使用比较了检测用微分波形图案数据和上述实微分波形图案数据所得的结果，计算上述任意的时刻的剩余膜厚度的步骤，上述检测用微分波形图案数据使用在上述晶片的处理之前预先具有2种不同的基底膜的厚度的膜构造的上述处理对象的膜的剩余厚度和将上述干涉光的波长作为参数的基本微分波形图案数据而制成；以及

使用上述剩余膜厚度来判定达到上述处理的目标的步骤。

2.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其特征在于，

在上述处理中的多个任意的时刻的每一个中，使用上述2个基本微分波形图案数据制成上述检测用微分波形图案数据，使用比较了该检测用微分波形图案数据和各时刻的实微分波形图案数据后所得的结果，计算上述各时刻的剩余膜厚度。

3.根据权利要求1或者2所述的等离子处理方法，其特征在于，

使用上述2个基本微分波形图案数据的每一个、和上述实微分波形图案数据的最小差的彼此的比率，内插上述2个基本微分波形图案数据，制成上述检测用微分波形图案数据。

4.根据权利要求1或者2所述的等离子处理方法，其特征在于，

在上述任意的时刻，比较上述检测用微分波形图案数据和上述实微分波形图案数据，在将它们的差成为最小的检测用微分波形图案数据的剩余膜厚度作为上述任意的时刻的剩余膜厚度进行存储，并且使用该任意的时刻的剩余膜厚度、和预先存储的比上述处理中的上述任意的时刻靠前的时刻的上述剩余膜厚度，重新计算上述任意的时刻的剩余膜厚度，

使用上述重新计算出的上述剩余膜厚度来判定达到上述处理的目标。

5.一种等离子处理装置，具备配置在真空容器的内部的处理室、以及配置在该处理室内且将晶片载置在其上表面的样品台，该等离子处理装置使用在上述处理室内形成的等离子对在上述晶片的上表面预先形成的膜构造所包含的处理对象的膜进行处理，

检测在上述处理中从上述晶片表面得到的多个波长的干涉光的强度，

从在上述处理中的任意的时刻检测到的上述多个波长的干涉光的强度检测它们的时间微分的时间系列数据，使用与上述多个波长有关的上述时间系列数据来检测将波长作为参数的实微分波形图案数据，使用比较了该实微分波形图案数据和检测用微分波形图案数据所得的结果，计算上述任意的时刻的剩余膜厚度，使用该剩余膜厚度来判定到达上述处理的目标，上述检测用微分波形图案数据使用在上述晶片的处理之前预先具有2种不同的基底膜的厚度的膜构造的上述处理对象的膜的剩余厚度和将上述干涉光的波长作为参数的基本微分波形图案数据而制成。

6.根据权利要求5所述的等离子处理装置，其特征在于，

在上述处理中的多个任意的时刻的每一个中，使用上述2个基本微分波形图案数据制成上述检测用微分波形图案数据，使用比较了该检测用微分波形图案数据和各时刻的实微分波形图案数据所得的结果，计算上述各时刻的剩余膜厚度。

7.根据权利要求5或者6所述的等离子处理装置，其特征在于，

使用上述2个基本微分波形图案数据的每一个和上述实微分波形图案数据的最小差的彼此的比率，内插上述2个基本微分波形图案数据，制成上述检测用微分波形图案数据。

8.根据权利要求5或者6所述的等离子处理装置，其特征在于，

在上述任意的时刻，比较上述检测用微分波形图案数据和上述实微分波形图案数据，在将它们的差成为最小的检测用微分波形图案数据的剩余膜厚度作为上述任意的时刻的剩余膜厚度进行存储，并且使用该任意的时刻的剩余膜厚度、和预先存储的比上述处理中的上述任意的时刻靠前的时刻的上述剩余膜厚度，重新计算上述任意的时刻的剩余膜厚度，使用上述重新计算的上述剩余膜厚度来判定达到上述处理的目标。