[发明专利]一种电源开关及机顶盒

说明书

技术领域

本发明涉及一种开关，尤其涉及一种电源开关及机顶盒。

背景技术

随着科学技术的不断发展，越来越多的功能模块集成到一个电器设备上，这样直接导致电器设备的功耗增加，从而流过电源开关的电流也急增。

传统的低电压电源开关通过弹片的接触与断开实现电路的导通与关断。由于弹片材料及成本的制约，小电流的电源开关封装可以做小些，进行小的封装，大电流的电源开关封装则必须要做大些，必须进行大的封装。但是，大的电源开关封装会占用电器设备较大的体积和空间，也会使电源开关的成本大大增加。电器设备如果为大电流而不想使用大封装的电源开关，电源开关将长期处于超额电流下工作，将会导致电源开关上的压降过大，影响电器设备的稳定性能，严重会使电源开关寿命减少甚至烧毁，这样就使得电器设备只能使用大封装的电源开关，电器设备体积和成本都大幅增加。

 

发明内容

有鉴于此，有必要针对上述低电压大电流电源开关必须进行大的封装，占用较大体积和成本增加的问题，提供一种电源开关。

同时，有必要提供一种上述电源开关的机顶盒。

一种电源开关，包括：电源输入端、上拉电阻、MOS晶体管单元、第一电容、电源输出端及开关弹片；所述MOS晶体管单元包括一个MOS晶体管或者多个并联的MOS晶体管，所述MOS晶体管单元的栅极与开关弹片一端连接，开关弹片另一端接地，所述MOS晶体管单元的源极与所述电源输入端连接，所述MOS晶体管单元的漏极与第一电容一端连接，第一电容另一端接地，所述电源输出端与所述MOS晶体管单元的漏极连接，所述上拉电阻一端与电源输出端连接，另一端与MOS晶体管单元的栅极连接，所述开关弹片闭合时所述MOS晶体管单元导通，所述开关弹片断开时，上拉电阻使所述MOS晶体管单元截止。

在其中的一个实施例中，所述MOS晶体管采用P沟道MOS晶体管。

在其中的一个实施例中，所述MOS晶体管单元包括两个并联连接的MOS晶体管。

在其中的一个实施例中，所述上拉电阻的阻值为10K欧姆。

在其中的一个实施例中，所述第一电容为22uF。

在其中的一个实施例中，所述电源开关还包括泄放电阻；所述泄放电阻一端与所述电源输出端连接，另一端接地。

在其中的一个实施例中，所述泄放电阻的阻值为1K欧姆。

在其中的一个实施例中，所述电源开关还包括第二电容及第三电容；所述第二电容和第三电容的一端均与所述MOS晶体管单元的栅极连接，所述第二电容和第三电容的另一端接地。

在其中的一个实施例中，所述第二电容为0.1uF，第三电容为1uF。

一种机顶盒，包括电源开关，所述电源开关为上述的电源开关。

上述电源开关及机顶盒，开关弹片连接MOS晶体管单元栅极，通过开关弹片来控制MOS晶体管单元的导通和截止，实现电源开关的开断，由于MOS晶体管的封装尺寸在低压情况下不受电流的改变而改变，通过调整MOS晶体管的数目或者使用不同性能的MOS晶体管，就能够实现用小的封装使电源开关能够流过大电流，电源开关采用同样的封装能够承受更大的电流，在大电流时不受开关封装的限制，电流开关在大电流下不必进行大的封装，从而减小了电源开关的体积和成本。同时，该电源开关在使用时还能有效的避免产生电火花的现象，更加安全。

 

附图说明

图1是一个实施例中电源开关的结构示意图；

图2是另一个实施例中电源开关的结构示意图。

 

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。