[发明专利]溅射装置

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年3月28日向韩国知识产权局（KIPO）提交的韩国专利申请第10-2013-0033662号的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及溅射装置，更具体地，涉及在溅射过程中能够有效减少目标损害的溅射装置。

背景技术

通常，溅射装置用于沉积薄膜并且是用于加速气体（例如，等离子体中电离的氩气）、允许气体碰撞目标，从而喷射出期望的原子以在位于装置附近的衬底上形成薄膜的装置。例如，磁控管溅射装置可以通过使用磁场和感应连续离子化而允许电子停留在目标附近以产生集中溅射，从而增加沉积率。

然而，通过使用上述的溅射装置，等离子体也可能形成在不期望的区域中。形成在不期望的区域中的等离子体被称为寄生等离子体并在目标的朝向支撑部分的端部引起电弧放电。

发明内容

本发明提供的溅射装置能够有效减少在溅射过程中目标的损害。然而，本发明并不限制于此。

根据本发明的一个方面，通过了一种溅射装置包括：第一磁组件，第一磁组件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互对应的第一侧面和第二侧面，第一磁组件还包括在第一方向上延伸并连接第一侧面和第二侧面的第一底面；第一屏蔽件，第一屏蔽件位于第一磁组件的第一侧面上；以及第一支撑件，第一支撑件用于支撑第一圆柱管状目标的第一端和第二端，第一圆柱管状目标具有平行于第一方向的第一纵轴，第一圆柱管状目标容纳第一磁组件和第一屏蔽件。

第一支撑件可包括第一电机，第一电机被配置为使第一圆柱管状目标绕第一纵轴旋转。

第一屏蔽件可沿着第一磁组件的第一侧面在第一方向上延伸。

第一屏蔽件可从第一磁组件的第一底面突出。

第一屏蔽件可位于第一磁组件的第一底面的至少一部分上。

溅射装置还可包括位于第一磁组件的第二侧面上的第一附加屏蔽件。

第一屏蔽件可被配置为减少关于第一磁组件的第一屏蔽件的外部区域中的磁场的强度。

溅射装置可进一步包括：第二磁组件，第二磁组件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互对应的第三侧面和第四侧面，第二磁组件还包括在第一方向上延伸并连接第三侧面和第四侧面的第二底面，第三侧面邻近第一磁组件的第二侧面；第二屏蔽件，第二屏蔽件位于第二磁组件的第四侧面上；以及第二支撑件，第二支撑件用于支撑第二圆柱管状目标的第一端和第二端，第二圆柱管状目标具有平行于第一方向的第二纵轴，第二圆柱管状目标容纳第二磁组件和第二屏蔽件。

第二支撑件可包括第二电机，第二电机被配置为使第二圆柱管状目标绕第二纵轴旋转。

第二屏蔽件可从第二磁组件的第二底面突出。

第二屏蔽件可位于第二磁组件的第二底面的至少一部分上。

溅射装置可进一步包括位于第二磁组件的第三侧面上的第二附加屏蔽件。

第二屏蔽件可被配置为减少关于第二磁组件的第二屏蔽件的外部区域中的磁场的强度。

根据本发明的一个方面，提供了一种溅射装置包括：第一磁组件，第一磁组件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互对应的第一侧面和第二侧面，第一磁组件还包括在第一方向上延伸并连接第一侧面和第二侧面的第一底面；第一屏蔽件，第一屏蔽件位于第一磁组件的第一侧面上并从第一磁组件的第一底面突出；第一附加屏蔽件，第一附加屏蔽件位于第一磁组件的第二侧面上并从第一磁组件的第一底面突出；第二磁组件，第二磁组件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互对应的第三侧面和第四侧面，第二磁组件还包括在第一方向上延伸并连接第三侧面和第四侧面的第二底面，第三侧面邻近第一磁组件的第二侧面；第二屏蔽件，第二屏蔽件位于第二磁组件的第四侧面上并从第二磁组件的第二底面突出；第二附加屏蔽件，第二附加屏蔽件位于第二磁组件的第三侧面上并从第二磁组件的第二底面突出；第一支撑件，第一支撑件用于支撑第一圆柱管状目标的第一端和第二端，第一圆柱管状目标具有平行于第一方向的第一纵轴，第一圆柱管状目标容纳第一磁组件和第一屏蔽件；以及第二支撑件，第二支撑件用于支撑第二圆柱管状目标的第一端和第二端，第二圆柱管状目标具有平行于第一方向的第二纵轴，第二圆柱管状目标容纳第二磁组件和第二屏蔽件。

第一屏蔽件可被配置为减少关于第一磁组件的第一屏蔽件的外部区域中的磁场的强度；并且第二屏蔽件可被配置为减少关于第二磁组件的第二屏蔽件的外部区域中的磁场的强度。