[发明专利]溅射装置在审
| 申请号： | 201310361795.4 | 申请日： | 2013-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN104073772A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 沈载润;崔丞镐 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;姚志远 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 装置 | ||
1.一种溅射装置，包括：
第一磁组件，所述第一磁组件在第一方向上延伸并包括在所述第一方向上延伸且相互对应的第一侧面和第二侧面，所述第一磁组件还包括在所述第一方向上延伸并连接所述第一侧面和所述第二侧面的第一底面；
第一屏蔽件，所述第一屏蔽件位于所述第一磁组件的第一侧面上；以及
第一支撑件，所述第一支撑件用于支撑第一圆柱管状目标的第一端和第二端，所述第一圆柱管状目标具有平行于所述第一方向的第一纵轴，
其中，所述第一圆柱管状目标容纳所述第一磁组件和所述第一屏蔽件。
2.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，所述第一支撑件包括第一电机，所述第一电机被配置为使所述第一圆柱管状目标绕所述第一纵轴旋转。
3.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，所述第一屏蔽件沿着所述第一磁组件的第一侧面在所述第一方向上延伸。
4.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，所述第一屏蔽件从所述第一磁组件的第一底面突出。
5.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，所述第一屏蔽件位于所述第一磁组件的第一底面的至少一部分上。
6.根据权利要求1所述的溅射装置，包括位于所述第一磁组件的第二侧面上的第一附加屏蔽件。
7.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，所述第一屏蔽件被配置为减少关于所述第一磁组件的所述第一屏蔽件的外部区域中的磁场的强度。
8.根据权利要求1所述的溅射装置，进一步包括：
第二磁组件，所述第二磁组件在所述第一方向上延伸并包括在所述第一方向上延伸且相互对应的第三侧面和第四侧面，所述第二磁组件还包括在所述第一方向上延伸并连接所述第三侧面和所述第四侧面的第二底面，其中所述第三侧面邻近所述第一磁组件的所述第二侧面；
第二屏蔽件，所述第二屏蔽件位于所述第二磁组件的第四侧面上；以及
第二支撑件，所述第二支撑件用于支撑第二圆柱管状目标的第一端和第二端，所述第二圆柱管状目标具有平行于所述第一方向的第二纵轴，
其中，所述第二圆柱管状目标容纳所述第二磁组件和所述第二屏蔽件。
9.根据权利要求8所述的溅射装置，其中，所述第二支撑件包括第二电机，所述第二电机被配置为使所述第二圆柱管状目标绕所述第二纵轴旋转。
10.根据权利要求8所述的溅射装置，其中，所述第二屏蔽件从所述第二磁组件的第二底面突出。
11.根据权利要求8所述的溅射装置，其中，所述第二屏蔽件位于所述第二磁组件的第二底面的至少一部分上。
12.根据权利要求8所述的溅射装置，进一步包括位于所述第二磁组件的第三侧面上的第二附加屏蔽件。
13.根据权利要求8所述的溅射装置，其中，所述第二屏蔽件被配置为减少关于所述第二磁组件的所述第二屏蔽件的外部区域中的磁场的强度。
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