[发明专利]制备导电薄膜的方法和由该方法制得的制品

权利要求书

1.一种自由立膜，其包括：

i基体层，其具有相对的表面，和

ii纳米棒阵列，其中纳米棒定向的穿过基体层并从基体层的一个或两个表面伸出1微米-0.8毫米的距离。

2.根据权利要求1所述的自由立膜,其中阵列的平均密度为0.5体积%-50体积%。

3.根据权利要求1所述的自由立膜，其中纳米棒的平均高度为5-500微米。

4.根据权利要求1所述的自由立膜,其还包括牺牲层，该牺牲层渗透纳米棒阵列。

5.根据权利要求4所述的自由立膜,其中牺牲层是高粘度非硫化硅酮油或硅橡胶、氟硅氧烷、可成像硅胶、二氧化硅、或蜡。

6.权利要求1到5中任一所述的自由立膜作为滤光片的用途。

7.权利要求1到5中任一所述的自由立膜作为各向异性导电薄膜的用途。

8.权利要求1到5中任一所述的自由立膜作为导热界面材料的用途。

9.一种使用导热界面材料的装置,包括：

a)发热元件，

b)导热界面材料，和

c)热管理器件；

其中导热界面材料插入在发热元件和热管理器件之间，沿着导热路径从发热元件的表面向热管理器件的表面延伸，导热界面材料包括如权利要求1到5中任一所述的自由立膜，且纳米棒与发热元件的表面和热管理器件的表面接触。

10.一种使用导热界面材料的方法，包括将导热界面材料插入到发热元件和热管理器件之间，其中导热界面材料沿着导热路径从发热元件表面向热管理器件表面延伸，导热界面材料包括如权利要求1到5中任一所述的自由立膜，且纳米棒与发热元件的表面和热管理器件的表面接触。

11.根据权利要求10所述的方法，其中发热元件包括半导体芯片,热管理器件包括散热器或放热器。