[发明专利]具有正向和反向偏置二极管的光子调制器在审
申请号: | 201310355223.5 | 申请日: | 2013-08-15 |
公开(公告)号: | CN103809302A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | B·G·李;J·A·卡沙;A·V·雷利亚科夫;C·L·朔 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | G02F1/01 | 分类号: | G02F1/01;H04B10/516 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 于静;张亚非 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 正向 反向 偏置 二极管 光子 调制器 | ||
1.一种调制器,包括:
正向偏置二极管,其被配置为执行调谐功能;以及
反向偏置二极管,其被配置为执行调制功能。
2.根据权利要求1的调制器,还包括:
第一臂,其包括所述反向偏置二极管;以及
第二臂,其包括所述正向偏置二极管。
3.根据权利要求2的调制器,其中所述反向偏置二极管包括反向偏置p-n二极管和反向偏置p-i-n二极管中的至少一个,以及
其中所述正向偏置二极管包括正向偏置p-n二极管和正向偏置p-i-n二极管中的至少一个。
4.根据权利要求3的调制器,其中所述反向偏置p-n二极管和所述正向偏置p-n二极管中的至少一个的结与波导重叠。
5.根据权利要求3的调制器,其中所述反向偏置p-i-n二极管和所述正向偏置p-i-n二极管中的至少一个的本征区域与波导重叠。
6.根据权利要求2的调制器,其中所述第一臂和所述第二臂包括在集成光子平台中的光子波导,所述集成光子平台包括硅、绝缘体上硅和磷化铟中的至少一个。
7.根据权利要求6的调制器,其中所述波导包括脊形波导、通道波导和带波导中的至少一个。
8.根据权利要求2的调制器,其中所述第一臂包括的长度大于所述第二臂的长度。
9.根据权利要求2的调制器,其中所述第一臂包括正向偏置二极管,并且所述第二臂包括反向偏置二极管。
10.根据权利要求2的调制器,其中所述第一臂和所述第二臂集成在光子平台中。
11.根据权利要求1的调制器,其中所述反向偏置二极管和所述正向偏置二极管均布置在谐振器中。
12.根据权利要求1的调制器,其中所述正向偏置二极管针对功率和面积而优化以执行所述调谐功能,以及
其中所述反向偏置二极管针对速度而优化以执行所述调制功能。
13.根据权利要求2的调制器,其中所述第一臂和所述第二臂包括集成在硅平台中的光子波导。
14.根据权利要求1的调制器,其中所述反向偏置二极管连接到高速二极管驱动器,并且所述正向偏置二极管连接到开环控制系统和闭环控制系统中的至少一个。
15.根据权利要求2的调制器,其中所述第一臂和所述第二臂包括集成在硅平台中的光子波导,以及
其中所述反向偏置二极管连接到高速二极管驱动器,并且所述正向偏置二极管连接到开环控制系统和闭环控制系统中的至少一个,使得所述二极管驱动器和控制系统中的至少一个集成在所述硅平台中。
16.根据权利要求1的调制器,还包括第一臂和第二臂,
其中所述第一臂包括所述正向偏置二极管和所述反向偏置二极管。
17.根据权利要求1的调制器,还包括:
光输入端口;
光输出端口;
用于向所述正向偏置二极管施加电压的输入端子;以及
用于向所述反向偏置二极管施加电压的输入端子。
18.一种调制器,包括:
第一臂,其被配置为执行调谐功能;以及
第二臂,其被配置为执行调制功能。
19.根据权利要求18的调制器,其中所述第一臂包括反向偏置二极管;以及
其中所述第二臂包括正向偏置二极管。
20.一种光子调制方法,包括:
使信号通过调制器,所述调制器包括正向偏置二极管和反向偏置二极管;
向所述正向偏置二极管施加低速调谐信号;以及
向所述反向偏置二极管施加高速数据源。
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