[发明专利]Bosch刻蚀方法有效
| 申请号： | 201310354670.9 | 申请日： | 2013-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN103400800A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 梁洁;李俊良 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | bosch 刻蚀 方法 | ||
1.一种Bosch刻蚀方法，其特征在于，包括：
固定基片到反应腔内的基座，在所述基片上形成有具有开口的掩膜层；
进行刻蚀步骤，通入刻蚀气体，施加源射频功率源到反应腔以维持反应腔内的等离子浓度，同时施加第一偏置功率源到所述基座，沿开口刻蚀部分所述基片形成刻蚀孔；
进行沉积步骤，通入沉积气体，施加第二偏置功率源到所述基座，在刻蚀孔的侧壁表面和掩膜层表面沉积形成聚合物，第二偏置功率源的频率大于第一偏置功率源的频率；
重复刻蚀步骤和沉积步骤，直至在所述基片中形成通孔。
2.如权利要求1所述的Bosch刻蚀方法，其特征在于，第二偏置功率源的频率大于第一偏置功率源的频率的2.5倍。
3.如权利要求1所述的Bosch刻蚀方法，其特征在于，第一偏置功率源的频率小于等于4Mhz，第二偏置功率源的频率大于等于10Mhz。
4.如权利要求3所述的Bosch刻蚀方法，其特征在于，第一偏置功率源的频率为360Khz～4Mhz，第二偏置功率源的频率为10Mhz～30Mhz。
5.如权利要求4所述的Bosch刻蚀方法，其特征在于，第一偏置功率源的频率为400Khz～2Mhz，第二偏置功率源的频率为13Mhz～27Mhz。
6.如权利要求1所述的Bosch刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀步骤采用的刻蚀气体为SF6。
7.如权利要求1所述的Bosch刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀步骤采用的气体还包括O2。
8.如权利要求1所述的Bosch刻蚀方法，其特征在于，所述沉积步骤采用的沉积气体为C4F8、C4F6、CHF3、CH2F2、C5F8或COS中的一种或几种。
9.如权利要求1所述的Bosch刻蚀方法，其特征在于，刻蚀步骤时间为0.3～30秒，沉积步骤的时间为0.3～30秒。
10.如权利要求1所述的Bosch刻蚀方法，其特征在于，刻蚀工艺过程中，源射频功率源的功率大小为500～5000W，第一偏置功率源或第二偏置源功率为500～5000W。
11.如权利要求1所述的Bosch刻蚀方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为光刻胶、无定形碳、SiO2、SiN、SiON、TiN、TaN、SiN、SiCN、SiC或BN。
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