[发明专利]离线增反镀膜玻璃及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种玻璃及其制造方法，特别是一种离线增反镀膜玻璃及其制造方法。

背景技术

薄膜干涉使用扩展光源，虽然相干性不好，但因能在明亮环境观察，所以使用价值高。利用上述原理可以测定薄膜的厚度d或光波波长l。在玻璃基片上镀上一层厚度为d的薄膜，使强度相等的两束反射光的光程差d满足干涉强度（d=kl）的条件，可以提高玻璃基片的反射率。增加反射率的薄膜叫高反膜。由于相邻两束光的强度不等，实际常采用多层膜，使高反膜的反射率达99%以上。增反射膜是应用最广、产量最大的一种光学薄膜，但是现有的镀膜工艺较为复杂，使用的材料也较为普通，所以镀膜效果不稳定。

发明内容

本发明的目的是为了寻找更简单、更稳定的工艺，提供一种高折射率的离线增反镀膜玻璃及其制造方法。

本发明的目的通过以下技术方案来实现：一种离线增反镀膜玻璃，包括玻璃基片，玻璃基片上设有依次设有钛的氧化物TiOx、氧化钛TiO_2、硅的氧化物SiOx、氧化硅SiO₂，玻璃基片的厚度为3mm～15mm，钛的氧化物TiOx的厚度为25nm～35nm，氧化钛TiO₂的厚度为25nm～32nm，硅的氧化物SiOx的厚度为35nm～45nm，氧化硅SiO₂的厚度为30nm～40nm。

本发明的进一步改进在于：玻璃基片的厚度为6mm，钛的氧化物TiOx的厚度为29nm，氧化钛TiO₂的厚度为29nm，硅的氧化物SiOx的厚度为40nm，氧化硅SiO₂的厚度为40nm。

一种离线增反镀膜玻璃的制备方法，包括以下步骤：

A：选择3～15mm玻璃基片，按预定尺寸切割成玻璃片，用清洗机对玻璃片进行清洗；

B：将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为10?3Pa，线速度设置为1.5米/分钟；

C：将玻璃基片送入镀膜室，依次设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为55KW～60KW，在玻璃基片上溅射第一层12nm～18nm的钛的氧化物TiOx；

D：设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为55KW～60KW，在玻璃基片上溅射第二层13nm～17nm的钛的氧化物TiOx；

E：设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为78KW～82KW，在玻璃基片上溅射第三层25nm～32nm的氧化钛TiO₂；

F：设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为75KW～85KW，在玻璃基片上溅射第四层35nm～45nm的硅的氧化物SiOx；

G：设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为58KW～65KW，在玻璃基片上溅射第五层15nm～20nm的氧化硅SiO₂；

H：设置第六高真空磁控溅射镀膜设备的功率为58KW～65KW，在玻璃基片上溅射第六层15nm～20nm的氧化硅SiO₂。

本发明与现有技术相比具有以下优点：用简单的材料和相对较少的镀膜层数实现高折射率的效果。

具体实施方式：

    为了加深对发明的理解，下面将结合实施例对本发明作进一步详述，该实施例仅用于解释本发明，并不构成对本发明保护范围的限定。

本发明离线增反镀膜玻璃的一种实施方式为：一种离线增反镀膜玻璃，包括玻璃基片，玻璃基片上设有依次设有钛的氧化物TiOx、氧化钛TiO_2、硅的氧化物SiOx、氧化硅SiO₂，玻璃基片的厚度为3mm～15mm，钛的氧化物TiOx的厚度为25nm～35nm，氧化钛TiO₂的厚度为25nm～32nm，硅的氧化物SiOx的厚度为35nm～45nm，氧化硅SiO₂的厚度为30nm～40nm。

离线高透净色低辐射镀膜玻璃的制备方法，包括以下步骤：

A：选择3～15mm玻璃基片，按预定尺寸切割成玻璃片，用清洗机对玻璃片进行清洗；

B：将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为10?3Pa，线速度设置为1.5米/分钟；

C：将玻璃基片送入镀膜室，依次设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为55KW～60KW，在玻璃基片上溅射第一层12nm～18nm的钛的氧化物TiOx；

D：设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为55KW～60KW，在玻璃基片上溅射第二层13nm～17nm的钛的氧化物TiOx；