[发明专利]离线增反镀膜玻璃及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201310352750.0 申请日: 2013-08-14
公开(公告)号: CN103407231A 公开(公告)日: 2013-11-27
发明(设计)人: 顾海波 申请(专利权)人: 江苏奥蓝工程玻璃有限公司
主分类号: B32B17/06 分类号: B32B17/06;C03C17/34
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 顾伯兴
地址: 226001 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 离线 镀膜 玻璃 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种离线减反镀膜玻璃,包括玻璃基片,其特征在于:所述玻璃基片上依次设有硅的氧化物SiOx、氧化硅SiO2、钛的氧化物TiOx、氧化钛TiO2,所述玻璃基片的厚度为3mm~15mm,所述硅的氧化物SiOx的厚度为35nm~45nm,所述氧化硅SiO2的厚度为30nm~40nm,所述钛的氧化物TiOx的厚度为25nm~35nm,所述氧化钛TiO2的厚度为25nm~32nm。

2.根据权利要求1所述离线减反镀膜玻璃,其特征在于:所述玻璃基片的厚度为6mm,所述硅的氧化物SiOx的厚度为38nm,所述氧化硅SiO2的厚度为42nm,所述钛的氧化物TiOx的厚度为25nm,所述氧化钛TiO2的厚度为33nm。

3.一种离线减反镀膜玻璃的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:

A:选择3~15mm玻璃基片,按预定尺寸切割成玻璃片,用清洗机对玻璃片进行清洗;

B:将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为10-3Pa,线速度设置为1.5米/分钟;

C:将玻璃基片送入镀膜室,依次设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为75KW~85KW,使用O2/Ar比例为900/100的工艺气体和硅靶在玻璃基片上溅射第一层35nm~45nm的硅的氧化物SiOx;

D:设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为58KW~65KW,使用O2/Ar比例为30/970的工艺气体和氧化硅靶在玻璃基片上溅射第二层15nm~20nm的氧化硅SiO2

E:设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为58KW~65KW,使用O2/Ar比例为30/970的工艺气体和氧化硅靶在玻璃基片上溅射第三层15nm~20nm的氧化硅SiO2

F:设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为55KW~60KW,使用O2/Ar比例为900/100的工艺气体和钛靶在玻璃基片上溅射第四层13nm~17nm的钛的氧化物TiOx;

G:设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为55KW~60KW,使用O2/Ar比例为900/100的工艺气体和钛靶在玻璃基片上溅射第四层13nm~17nm的钛的氧化物TiOx;

H:设置第六高真空磁控溅射镀膜设备的功率为78KW~82KW,使用O2/Ar比例为30/970的工艺气体和氧化钛靶在玻璃基片上溅射第六层25nm~32nm的氧化钛TiO2

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