[发明专利]一种氮化钛-铁金属陶瓷的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310348293.8 申请日: 2013-08-12
公开(公告)号: CN103433488A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 唐建成;叶楠;魏晓枭;卓海鸥 申请(专利权)人: 南昌大学
主分类号: B22F3/12 分类号: B22F3/12;C22C33/06;C22C33/02;B22F9/04;B22F9/16
代理公司: 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 代理人: 施秀瑾
地址: 330031 江西省*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 氮化 金属陶瓷 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于金属陶瓷材料及制备领域。

背景技术

金属陶瓷是指用粉末冶金方法制备的金属与陶瓷的复合材料,它兼顾了金属的高韧性、可塑性和陶瓷的高熔点、耐腐蚀和耐磨损等特性,在航空航天、国防军工、精密制造等领域拥有广阔的应用前景;目前具体的应用对象主要包括高温耐磨部件、测温元件、耐高温涂层、高速切削刀具、冲压模具等。氮化钛(TiN)作为一种理想的陶瓷相具有高强度、高硬度、耐高温、耐酸碱侵蚀、耐磨损以及良好的导电性、导热性等一系列优点,已在金属表面涂层技术上得到广泛的应用。

研究表明,金属液相对陶瓷相的润湿能力,会对金属陶瓷材料的力学性能产生严重的影响。由于TiN与大多数金属的润湿性比较差,在烧结时Fe、Co、Ni等金属不能完全润湿TiN,会发生TiN颗粒聚集长大,金属相与陶瓷相分布不均匀,粘结不牢固,导致材料的韧性很低,会使具有优良力学性能的TiN陶瓷相的优点发挥不出来,无法获得高性能的金属陶瓷材料。这一弊端大大制约了TiN基金属陶瓷的制备和应用,使得TiN目前只能用于硬质合金涂层技术和TiC基金属陶瓷的添加剂。

高温烧结虽然可以改善金属对TiN的润湿性,但是TiN在高温下会发生严重的脱氮,在材料内部产生大量的气孔和疏松,导致材料的强度和硬度降低。因此,制备高性能TiN基金属陶瓷的关键是,如何在较低的烧结温度下解决金属粘结相对TiN陶瓷相的润湿问题。

发明内容

本发明的目的是针对目前制备工艺上的不足,提供一种氮化钛-铁(TiN-Fe)复合粉末烧结金属陶瓷的制备方法。

本发明是通过以下技术方案实现的。

先用真空熔炼的方法制备钛-铁(Ti-Fe)合金铸锭,使铁在钛中以固溶和钛铁TiFe中间相的形式存在,然后对钛-铁(Ti-Fe)合金铸锭进行氢化脆化、球磨破碎、脱氢和氮化处理,得到氮化钛-铁(TiN-Fe)金属陶瓷复合粉末,将复合粉末压胚后烧结得到氮化钛-铁(TiN-Fe)金属陶瓷材料。

具体地说,本发明的制备方法步骤如下。

(1) 熔炼:按照一定比例配置钛-铁合金母料,其中铁的质量分数为5%~30%,其余为钛;采用真空熔炼的方法将母料制备成合金铸锭。

(2) 氢化:将步骤(1)中制得的合金铸锭切成片状,置于管式气氛炉中进行氢化脆化,氢化是在高纯H2气体中进行,氢化温度为600~750℃,升温速率10~15℃/min,氢化时间为2~4h。

(3) 破碎:将步骤(2)中氢化后的TiHx-Fe(1≤x≤2)合金初步破碎(砸碎或者碾磨)后,置于不锈钢球磨罐中进行高能球磨破碎,采用硬质合金磨球,球料质量比为8:1,球磨4~8h得到TiHx-Fe复合粉末。

(4) 脱氢:将步骤(3)中制得的复合粉末置于管式气氛炉中进行脱氢处理,脱氢条件为氩气气氛保护,脱氢温度为600~700℃,升温速率10~15℃/min,脱氢时间为1~3h,得到钛-铁复合粉末。

(5) 氮化:将步骤(4)中制得的复合合金粉末置于管式气氛炉中进行氮化处理,氮化条件为高纯氮气下780~900℃保温3~5h,得到氮化钛-铁金属陶瓷复合粉末。

(6) 压胚烧结:将步骤(5)中制得的氮化钛-铁金属陶瓷复合粉末压胚后置于管式烧结炉中进行中高温烧结,烧结条件为氩气或者氮气保护,烧结温度为900~1400℃,烧结时间为2~5h。

根据陶瓷/金属的界面结合情况,润湿性可分为反应性润湿和非反应性润湿,本发明制备的TiN-Fe金属陶瓷界面属于非反应性润湿,TiN-Fe复合粉末由于继承了Ti-Fe合金固溶体和中间相的结构,TiN粉末完全被Fe润湿,金属粘结相Fe与TiN基在烧结润湿过程中发生了复杂的元素扩散和金属/陶瓷互溶,烧结后各相分布均匀、致密度较高,其平均显微维氏硬度达到了1023HV。

本发明制备的TiN-Fe金属陶瓷复合粉末由TiN和Fe两相组成,粉末粒度均匀、流动性好,经压胚后烧结得到的TiN-Fe块体金属陶瓷材料各相分布均匀、致密度较高,其平均显微维氏硬度达到了1023HV。

附图说明

图1为实施例1制备的氮化后的TiN-Fe复合粉末的X-射线衍射谱。

图2为实施例1制备的压胚烧结后的TiN-Fe金属陶瓷的X-射线衍射谱。

具体实施方式

本发明将通过以下实施例作进一步说明,但本发明的保护范围不限于此。

实施例1。

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