[发明专利]ZnO量子点基深紫外传感器及制备方法

权利要求书

1.ZnO量子点基深紫外传感器，其特征在于利用超细的ZnO量子点网络结构作为光电响应的活跃层。

2.根据权利要求1所述的ZnO量子点基深紫外传感器制备方法，其步骤在于：ZnO量子点的制备：

(1)将Zn(CH₃COO)₂·2H₂O粉末加入到绝对干乙醇溶液中，将该溶液在80℃下连续搅拌至充分溶解，用冰浴将该溶液冷却至0℃；

(2)将LiOH·H₂O粉末超声溶解在绝对干乙醇溶液中，配制均匀的LiOH溶液；(3)将步骤(2)得到的LiOH溶液逐滴缓慢地加进步骤(1)得到的Zn(CH₃COO)₂的乙醇溶液中，在0℃下反应，辅以磁搅拌和N₂气流的保护；

(4)得到ZnO量子点溶液，在绝对干乙醇中并置于0℃以下保存；传感器的制备：

(5)将Au叉指电极放入步骤(4)得到的ZnO量子点的乙醇溶液中；

(6)然后向该溶液中逐滴加入正庚烷，ZnO量子点逐渐溢出并沉积在Au叉指电极上；

(7)经过充分沉积后，将沉积有ZnO量子点的Au叉指电极提出，并在N₂下冷却干燥。