[发明专利]用以减少图像记忆效应的带负电荷层

权利要求书

1.一种图像传感器像素，其包括：

光电二极管区，其具有第一极性掺杂类型，其安置于半导体层中；

钉扎表面层，其具有第二极性掺杂类型，其安置于所述半导体层中的所述光电二极管区上方，其中所述第二极性与所述第一极性相反；

第一极性电荷层，其接近所述光电二极管区上方的所述钉扎表面层而安置；

触点蚀刻停止层，其接近所述第一极性电荷层而安置于所述光电二极管区上方，其中所述第一极性电荷层安置于所述钉扎表面层与所述触点蚀刻停止层之间，使得第一极性电荷层抵消在所述触点蚀刻停止层中感应的具有第二极性的电荷；及

钝化层，其安置于所述光电二极管区上方在所述钉扎表面层与所述触点蚀刻停止层之间。

2.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述钝化层安置于所述光电二极管区上方在所述钉扎表面层与所述第一极性电荷层之间。

3.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述钝化层安置于所述光电二极管区上方在所述第一极性电荷层与所述触点蚀刻停止层之间。

4.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述钝化层为安置于所述光电二极管区上方的多个钝化层中的一者，其中所述多个钝化层中的第一者安置于所述钉扎表面层与所述第一极性电荷层之间，且其中所述多个钝化层中的第二者安置于所述第一极性电荷层与所述触点蚀刻停止层之间。

5.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述触点蚀刻停止层包括氮化硅及氮氧化硅中的一者。

6.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述第一极性电荷层包括氧化铪、氧化铝、氧化锆、氧化钽及氧化钛中的一者。

7.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中安置于所述钉扎表面层与所述触点蚀刻停止层之间的所述第一极性电荷层防止在所述触点蚀刻停止层中感应的具有所述第二极性的所述电荷在所述光电二极管区中感应具有第一极性的电荷。

8.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述钝化层包括氧化硅。

9.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述第一极性为负的，且所述第二极性为正的。

10.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述半导体层包括硅。

11.一种设备，其包括：

像素阵列，其布置于半导体层中，其中所述像素阵列的所述像素中的每一者包含：

光电二极管区，其具有第一极性掺杂类型，其安置于所述半导体层中；及

钉扎表面层，其具有第二极性掺杂类型，其安置于所述半导体层中的所述光电二极管区上方，其中所述第二极性与所述第一极性相反；

第一极性电荷层，其接近所述像素阵列的所述像素中的每一者的所述钉扎表面层而安置于所述像素阵列上方；

触点蚀刻停止层，其接近所述第一极性电荷层而安置于所述像素阵列上方，其中所述第一极性电荷层安置于所述像素阵列的所述像素中的每一者的所述钉扎表面层与所述触点蚀刻停止层之间，使得第一极性电荷层抵消在所述触点蚀刻停止层中感应的具有第二极性的电荷；及

钝化层，其安置于所述像素阵列上方在所述像素阵列的所述像素中的每一者的所述钉扎表面层与所述触点蚀刻停止层之间。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述钝化层安置于所述阵列上方在所述像素阵列的所述像素中的每一者的所述钉扎表面层与所述第一极性电荷层之间。

13.根据权利要求11所述的设备，其中所述钝化层安置于所述阵列上方在所述第一极性电荷层与所述触点蚀刻停止层之间。

14.根据权利要求11所述的设备，其中所述钝化层为安置于所述光电二极管区上方的多个钝化层中的一者，其中所述多个钝化层中的第一者安置于所述像素阵列的所述像素中的每一者的所述钉扎表面层与所述第一极性电荷层之间，且其中所述多个钝化层中的第二者安置于所述第一极性电荷层与所述触点蚀刻停止层之间。

15.根据权利要求11所述的设备，其进一步包括接近所述像素阵列上方的所述触点蚀刻停止层而安置的金属互连层。

16.根据权利要求15所述的设备，其中所述金属层包含安置于其中的无边界触点。