[发明专利]一种形成膜层的方法和基板

说明书

技术领域

本发明属于膜层制备技术领域，具体涉及一种形成膜层的方法和包括由所述形成膜层的方法制得的膜层的基板。

背景技术

氧化铟锡膜（ITO膜）具有优良的导电性和可见光透过率，是一种重要的透明导电膜，在光电器件中得到了广泛应用，目前一般是采用磁控溅射技术来制备ITO膜。磁控溅射技术中，真空条件下实现等离子放电，利用电磁场控制带电粒子的运动，轰击靶材，靶材原子被撞飞，并附着在基板上，从而在基板上形成所需要的薄膜。

目前，TN(Twist Nematic，扭曲向列)型液晶显示装置的彩膜基板上需要形成ITO膜作为公共电极，而通过磁控溅射技术制备的ITO膜存在着一些膜面不良和缺陷，例如，ITO膜易出现膜面小孔（pin hole），膜面小孔的产生过程如图1、图2所示，在镀膜时，若彩膜基板1上有异物21（例如灰尘、颗粒异物等），镀膜后膜面就会形成一个凸起，在后续的清洗工序中，凸起被清洗掉落，那么ITO膜2就会产生一个膜面小孔22，膜面小孔22在成盒后会显示为一个异常点，影响液晶显示装置的良率，因此显然需要避免形成膜面小孔22。现有的一种减少膜面小孔22产生的方法是在镀膜前设置前清洗工序，且镀膜前各设备密封并定期清洁，但显然这种方法仅使得镀膜前基板的异物减少，很难完全消除异物。另外，液晶显示装置中，公共电极需要加电压以实现对像素单元的明暗控制，为了保证其能承受所需的电压，因此对ITO膜的厚度有一定的要求，目前TN型液晶显示装置彩膜基板的ITO膜厚通常为150nm，在制作膜厚为150nm的ITO膜2时，镀膜设备功率相应的为14.6kw（对应单件产品生产时间为35秒），而生产实际中，当镀膜功率高于8～9kw时，靶材表面和彩膜基板ITO膜2形成小瘤（结节）的可能性急剧增加，ITO膜2的小瘤也会形成膜面小孔；同时靶材表面的小瘤易产生尖端放电，并影响镀膜品质，使得由其镀膜形成的ITO膜2膜面突起（不能清洗掉的突起部分，在修补工艺需要将其打磨），面电阻和透过率数值超标，也因为这些影响需要定期对靶材表面的小瘤进行打磨、清洁，需要停线处理，显然会导致设备维护时间大量增加，稼动率降低（稼动率是指设备在所能提供的时间内为了创造价值而占用的时间所占的比重）。

利用其他工艺方法，如蒸镀工艺、溅射工艺、化学气相沉积工艺、喷涂工艺等，形成膜层时，也会出现由于异物导致的膜面不良，影响后续产品的性能。

发明内容

本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的形成膜层的方法易出现膜层不良的问题，提供一种减少膜层不良、提升膜层品质的形成膜层的方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种形成膜层的方法，包括：

在基板上形成第一层膜；

对所述第一层膜进行第一次清洗；

在所述第一层膜上形成第二层膜，所述第二层膜的材料与第一层膜的材料相同；

对所述第二层膜进行第二次清洗。

优选的是，形成第一层膜的厚度与形成第二层膜的厚度的比值范围为0.5至2。

进一步优选的是，形成第一层膜的厚度与形成第二层膜的厚度相同。

优选的是，所述形成第一层膜采用蒸镀工艺、溅射工艺、化学气相沉积工艺、喷涂中的一种；

和/或

形成第二层膜采用蒸镀工艺、溅射工艺、化学气相沉积工艺、喷涂中的一种。

进一步优选的是，采用溅射工艺形成第一层膜和形成第二层膜控制设备功率，使溅射形成的第一层膜和第二层膜的小瘤的尺寸小于50微米。

优选的是，所述第一次清洗和所述第二次清洗包括纯水冲洗和气体冲洗，用于除去第一层膜和第二层膜上的异物和小瘤。

优选的是，所述第一层膜的材料和所述第二层膜的材料为金属或金属氧化物。

进一步优选的是，所述第一层膜的材料和所述第二层膜的材料为氧化铟锡。

本发明的形成膜层工艺分为两次进行，并对每次形成的膜进行清洗，因此尽管两次形成的膜都有可能会产生膜面不良，但是同一个位置两次形成的膜均产生膜面不良的概率极低，即两次形成的膜的膜层互相补偿由单次形成的膜所产生的膜面不良，避免了膜面不良对整体膜层的影响，减少了因膜面不良问题导致的后续产品不良。

本发明所要解决的技术问题还包括，针对现有的形成膜层方法易出现膜层不良，导致基板品质不良的问题，提供一种品质良好的基板。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种基板，包括：由上述的形成膜层的方法制得的膜层。

优选的是，所述基板为彩膜基板，所述膜层作为公共电极。