[发明专利]一种形成膜层的方法和基板有效
| 申请号： | 201310339744.1 | 申请日： | 2013-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN103439839A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 唐华;赵冉 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 形成 方法 | ||
1.一种形成膜层的方法，其特征在于，包括：
在基板上形成第一层膜；
对所述第一层膜进行第一次清洗；
在所述第一层膜上形成第二层膜，所述第二层膜的材料与第一层膜的材料相同；
对所述第二层膜进行第二次清洗。
2.根据权利要求1所述的形成膜层的方法，其特征在于，
形成第一层膜的厚度与形成第二层膜的厚度的比值范围为0.5至2。
3.根据权利要求2所述的形成膜层的方法，其特征在于，形成第一层膜的厚度与形成第二层膜的厚度相同。
4.根据权利要求1所述的形成膜层的方法，其特征在于，所述形成第一层膜采用蒸镀工艺、溅射工艺、化学气相沉积工艺、喷涂中的一种；
和/或
形成第二层膜采用蒸镀工艺、溅射工艺、化学气相沉积工艺、喷涂中的一种。
5.根据权利要求4所述的形成膜层的方法，其特征在于，采用溅射工艺形成第一层膜和形成第二层膜控制设备功率，使溅射形成的第一层膜和第二层膜的小瘤的尺寸小于50微米。
6.根据权利要求1所述的形成膜层的方法，其特征在于，所述第一次清洗和所述第二次清洗包括纯水冲洗和气体冲洗，用于除去第一层膜和第二层膜上的异物和小瘤。
7.根据权利要求1所述的形成膜层的方法，其特征在于，所述第一层膜的材料和所述第二层膜的材料为金属或金属氧化物。
8.根据权利要求7所述的形成膜层的方法，其特征在于，所述第一层膜的材料和所述第二层膜的材料为氧化铟锡。
9.一种基板，其特征在于，包括由权利要求1至8中任意一项所述形成膜层的方法制得的膜层。
10.根据权利要求9所述的基板，其特征在于，所述基板为彩膜基板，所述膜层作为公共电极。
11.根据权利要求10所述的基板，其特征在于，所述膜层的厚度在135nm到150nm之间。
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