[发明专利]一种像素单元及其像素阵列在审

专利信息
申请号: 201310338238.0 申请日: 2013-08-05
公开(公告)号: CN103941487A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 曹兆铿;叶舟;王艳丽;林珧 申请(专利权)人: 上海中航光电子有限公司;天马微电子股份有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201108 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 像素 单元 及其 阵列
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示领域,特别是涉及FFS(Fringe Field Switching,边缘场开关模式)液晶显示器中像素单元及其像素阵列。

背景技术

FFS技术是一种TFT基板上的像素电极和公共电极之间产生的边缘电场,使电极之间及电极正上方的液晶分子都能在平行于玻璃基板的平面上发生转动的技术。像素电极和公共电极由透明导体制成,因此能够提高液晶显示器的透过率。

然而,FFS液晶显示器的透过率还受到电极宽度、电极之间的缝隙宽度这两个因素的影响,现有设计中的FFS液晶显示器中,电极的宽度较宽,会降低透过率;同时电极之间的缝隙也较宽,而在缝隙下方位置的液晶无法被驱动,导致透过率降低,如果在有限空间内缩短电极或电极缝隙宽度,以提高透光率,需要合理配置像素尺寸和排布方式,以符合现有的加工精度,并且避免色偏现象。

发明内容

有鉴于此,本发明提供了一种像素单元及其像素阵列,其有效避免了由于现有技术的限制和缺陷导致的一个或更多的问题。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案之一为:一种像素单元,包括:公共电极和至少两个子像素;公共电极为面状,铺设于所述子像素之上,根据不同子像素,公共电极分成多个区域,每个公共电极区域中分别设有数量不等的通槽,均在三个以上,每个通槽的尺寸相同或者每个子像素的面积相同。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案之二为:一种像素阵列,其应用于FFS液晶显示器中,所述像素阵列包括根据所述的多个像素单元,所述像素单元数量为三的整数倍,所述像素阵列中,分别代表红、绿和蓝的子像素总透光面积相同。

本发明提供了一种像素单元及其像素阵列,所述像素单元的各个子像素所对应的公共电极上,开设的通槽数量不同,相应地,子像素的面积也随着通槽数量增多(减少)而设置为增大(减小),较大面积的子像素,其透光面积相应较高;将所述像素单元形成于整体尺寸固定的像素阵列中,相应调整公共电极宽度或通槽宽度,以减小公共电极宽度或通槽宽度,能够提高像素阵列整体的透过率;设定像素单元的数量为三的整数倍,并且分别代表红、绿和蓝子像素总透光面积相同,因此像素阵列整体红、绿和蓝子像素的透过率比值固定,能够混成不偏色的白光。在满足所述规律下对像素阵列内的像素单元进行排布,在提高透过率的基础上,还能克服单个像素单元本身存在色偏问题,使得像素阵列整体没有色偏现象。

附图说明

图1为本发明第一实施例像素单元的俯视图。

图2为图1中沿SS线的剖视图。

图3为采用图1中像素单元的像素阵列示意图一。

图4为采用图1中像素单元的像素阵列示意图二。

图5为本发明第二实施例像素单元的俯视图。

图6为采用图4中像素单元的像素阵列示意图一。

图7为采用图4中像素单元的像素阵列示意图二。

图8为本发明第三实施例像素单元的俯视图。

图9为本发明第四实施例像素单元的示意图。

图10为采用图9中像素单元的FFS液晶显示器的像素布局示意图一。

图11为采用图9中像素单元的FFS液晶显示器的像素布局示意图二。

图12为本发明第五实施例像素的示意图。

具体实施方式

本发明提出了一种像素单元,请参考第一至第五实施例。

第一实施例,请参考图1至图5。

结合图1和图2所示,像素单元100包括公共电极10、第一子像素20、第二子像素30、像素电极22和像素电极32。

三条数据线52、54和56沿着竖直方向,间隔平行排列。两条扫描线62、64沿着水平方向,间隔平行排列。数据线52、54和56与扫描线62、64纵横交错,它们之间围成了两个四边形区域,分别定义为第一子像素20和第二子像素30。第一子像素20和第二子像素30分别代表R(红)、G(绿)和B(蓝)中的任意一种颜色。

像素电极22和32分别位于第一子像素20和第二子像素30之中。像素电极22、32与数据线52、54和56位于同一层,并与公共电极12、14和16之间设有绝缘层70。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海中航光电子有限公司;天马微电子股份有限公司,未经上海中航光电子有限公司;天马微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310338238.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top