[发明专利]纳米晶显示装置及其形成方法

说明书

本申请要求于2012年11月2日提交的第10-2012-0123601号韩国专利申请的优先权以及全部权益，该韩国专利申请的内容通过引用包含于此。

技术领域

本发明涉及一种纳米晶显示器。更具体地讲，本发明涉及一种耐久性得到提高的纳米晶显示器。

背景技术

已开发了各种显示装置，例如，液晶显示装置、有机发光二极管显示装置、电润湿显示装置、电泳显示装置、纳米晶显示装置等。

通常，显示装置包括多个像素以显示图像。像素响应栅极信号来接收数据信号，并且显示与数据信号对应的灰度。

液晶显示装置包括两个基底以及置于两个基底之间的液晶层。两个基底通过间隔件彼此分隔开以在它们之间容纳液晶层。间隔件设置在两个基底中的一个上，并且两个基底中的另一个使用粘合剂附着到间隔件。

发明内容

本发明的一个或多个示例性实施例提供了一种耐久性得到提高的纳米晶显示装置。

本发明的示例性实施例提供了一种包括显示面板和背光单元的纳米晶显示装置。显示面板包括多个像素和基底，基底包括与所述多个像素对应的多个像素区域以及位于像素区域之间的边界区域。每个像素包括：第一电极，位于基底的上表面上并位于对应的像素区域中；第二电极，位于基底的上表面上并沿剖面方向与第一电极分隔开；隧道状腔，限定在所述多个像素区域中并与基底分隔开预定距离；以及图像显示层，位于隧道状腔中。背光单元将光提供至显示面板并面对基底的上表面。

每个像素还可以包括：栅极线，设置在基底上并沿行方向延伸；数据线，沿列方向延伸并在与栅极线交叉的同时与栅极线绝缘；以及薄膜晶体管，连接到第一电极、栅极线和数据线。

薄膜晶体管可以包括：栅电极，从栅极线分支出；源电极，从数据线分支出；以及漏电极，连接到第一电极。

显示面板还可以包括：黑色矩阵，在边界区域中设置在薄膜晶体管上；滤色器，在像素区域中设置在基底上；以及接触孔，限定在黑色矩阵中。第一电极设置在滤色器上，薄膜晶体管的漏电极通过接触孔电连接到从第一电极分支出的连接电极。

第二电极可以在边界区域中接触黑色矩阵，并可以在第二电极与像素区域叠置的区域中与滤色器分隔开，以限定隧道状腔。

显示面板还可以包括设置黑色矩阵和滤色器上的绝缘层以覆盖第一电极。第二电极可以在边界区域中接触绝缘层并可以在第二电极与像素区域叠置的区域中与绝缘层分隔开，以限定隧道状腔。

显示面板还可以包括抗反射层，抗反射层设置基底的上表面与栅电极之间并且具有比栅电极的反射率低的反射率。

抗反射层的宽度可以与栅电极的宽度基本上相同。

抗反射层的宽度可以与栅极线的宽度基本上相同，可以沿与栅极线相同的方向延长并且可以位于栅极线与基底之间。

抗反射层可以包括氧化铬。

抗反射层具有范围为大约零（0）%至大约20%的反射率。

显示面板还可以包括：覆盖层，沿行方向延伸以覆盖第二电极的上表面；以及密封剂层，设置在覆盖层上。背光单元可以设置密封剂层上。

隧道状腔可以沿列方向延长，隧道状腔的沿列方向的两个相对端可以是敞开的，所述两个相对端暴露隧道状腔中的图像显示层，密封剂层可以覆盖基底并封挡隧道状腔的所述两个相对端以密封隧道状腔。

图像显示层可以是液晶层或电泳层。

第一电极包括：十字状的敞开的主干部分；多个分支部分，以辐射形式从主干部分向外部延伸；以及多个细缝，设置在相邻的分支部分之间。

根据上述内容，纳米晶显示装置包括具有设置在基底的同一表面上的元件的显示面板以及面对基底的所述同一表面的背光单元。由于基底比显示面板的元件更强并位于显示装置的观看侧，所以外部冲击施加到不易变形的基底。因此，纳米晶显示装置的耐久性可以提高。

本发明的示例性实施例提供了一种形成纳米晶显示装置的方法，所述方法包括：提供显示面板，显示面板包括多个像素和基底，所述多个像素沿行方向和与行方向交叉的列方向布置，基底包括与所述多个像素对应的多个像素区域以及位于像素区域之间的边界区域；提供背光单元，背光单元将光提供至显示面板，背光单元面对基底的上表面。每个像素包括：第一电极，位于基底的上表面上并位于对应的像素区域中；第二电极，位于基底的上表面上，沿行方向延长并沿剖面方向与第一电极分隔开，其中，第二电极与第一电极形成电场；隧道状腔，限定在所述多个像素区域中并与基底分隔开预定距离；以及图像显示层，位于隧道状腔中，其中，图像显示层根据形成在第一电极与第二电极之间的电场显示图像。