[发明专利]一种弧形底电极薄膜太阳电池有效

申请号：	201310335067.6	申请日：	2013-08-02
公开（公告）号：	CN103367514A	公开（公告）日：	2013-10-23
发明（设计）人：	花国然;王强;邓洁;管图华	申请（专利权）人：	南通大学
主分类号：	H01L31/075	分类号：	H01L31/075;H01L31/0352;H01L31/0376;H01L31/20
代理公司：	南京同泽专利事务所(特殊普通合伙) 32245	代理人：	石敏
地址：	226019 江苏省南***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	一种弧形电极薄膜太阳电池
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【权利要求书】：

1. 一种弧形底电极薄膜太阳电池，其特征在于：从上至下包括依次连接的金属顶电极、透明导电薄膜、P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、金属底电极、衬底，所述金属底电极的上表面具有若干金属导电凸棱，所述凸棱上方的N型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜、透明导电薄膜具有向上凸起的条状鼓包，金属顶电极设置于透明导电薄膜的条状鼓包的两侧。

2. 根据权利要求1所述的弧形底电极薄膜太阳电池，其特征在于：所述透明导电薄膜、P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜的厚度均匀。

3. 根据权利要求1所述的弧形底电极薄膜太阳电池，其特征在于：所述透明导电薄膜为掺锡氧化铟的ITO薄膜，所述底电极为铝或银材料制成的面状金属电极。

4. 根据权利要求1所述的弧形底电极薄膜太阳电池，其特征在于：所述凸棱互相平行，相邻凸棱的间距为1-2um，凸棱的宽度范围为：200nm-900nm，高度范围为：100-300nm。

5. 根据权利要求1所述的弧形底电极薄膜太阳电池，其特征在于：所述P型非晶硅薄膜中硼元素的掺杂浓度为10¹⁷～10¹⁹/cm³；所述本征非晶硅薄膜中无杂质掺杂，所述N型非晶硅薄膜中磷元素的掺杂浓度为10¹⁷～10¹⁹/cm³，所述P型非晶硅薄膜的沉积厚度范围为：180-220nm，本征非晶硅薄膜的沉积厚度范围为：0.5-1um，N型非晶硅薄膜的沉积厚度范围为：180-220nm，所述透明导电薄膜的淀积厚度范围为：40-50nm。

6. 根据权利要求1所述的弧形底电极薄膜太阳电池，其特征在于：所述凸棱上表面具有上凸的弧面或者所述凸棱具有下宽上窄的台阶型结构。

7. 权利要求1所述弧形底电极薄膜太阳电池的生产工艺，其特征在于包括如下步骤：

第1步、在柔性衬底上制备平板式金属底电极；

第2步、在平板式金属底电极表面制备若干条状金属导电凸棱；

第3步、底电极表面逐次淀积厚度均匀的N型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜、透明导电薄膜，使N型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜、透明导电薄膜在所述凸棱对应区域向上凸起形成条状鼓包；

第4步、在透明导电薄膜的条状鼓包的两侧制备金属顶电极。

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