[发明专利]一种等离子体刻蚀基片的方法有效
| 申请号： | 201310330254.5 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104347390B | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 李俊良;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 刻蚀 方法 | ||
1.一种等离子体刻蚀基片的方法，所述基片包括光刻胶层和所述光刻胶层下方的目标刻蚀层，所述方法在一等离子体反应腔内进行，其特征在于：设置刻蚀过程中所述反应腔内的温度为第一温度和第二温度，设置刻蚀反应开始阶段反应腔内温度为第一温度，设置刻蚀反应结束阶段反应腔内的温度为第二温度，所述第一温度高于所述第二温度至少5℃，所述第一温度下光刻胶层的刻蚀速率大于所述第二温度下光刻胶层的刻蚀速率。
2.根据权利要求1所述等离子体刻蚀基片的方法，其特征在于：所述第一温度高于所述第二温度至少10℃。
3.根据权利要求2所述等离子体刻蚀基片的方法，其特征在于：所述刻蚀反应开始阶段和结束阶段之间设置若干不同温度，所述若干不同温度范围介于所述第一温度和第二温度之间。
4.根据权利要求3所述等离子体刻蚀基片的方法，其特征在于：所述刻蚀反应开始后，所述反应腔内的温度不断减小。
5.根据权利要求3所述等离子体刻蚀基片的方法，其特征在于：所述刻蚀反应过程中所述第一温度和第二温度的持续时间大于等于10s。
6.根据权利要求3所述等离子体刻蚀基片的方法，其特征在于：所述刻蚀反应过程中，所述第一温度和所述第二温度持续的时间相等。
7.根据权利要求3所述等离子体刻蚀基片的方法，其特征在于：所述刻蚀反应过程中，所述第一温度和所述第二温度持续的时间不相等。
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