[发明专利]用于处理基板的装置

说明书

技术领域

这里公开的本发明涉及一种用于处理基板的装置，并且更具体地说，涉及一种通过利用等离子处理基板的装置。

背景技术

为了制造半导体器件，可以在基板上执行诸如光刻处理、蚀刻处理、灰化处理、离子注入处理、薄膜沉积处理以及清洗处理的多种处理以在基板上形成期望的图案。在这些处理中，可以执行蚀刻处理以移除形成在基板上的层中的选定的区域。蚀刻处理可以包括湿蚀刻处理与干蚀刻处理。

这里，利用等离子的蚀刻器件可以用于执行干蚀刻处理。一般地说，可以在室内形成磁场以形成等离子。磁场可以将提供到室中的处理气体激发成等离子状态。

等离子表示包含离子、电子与自由基的离子化的气体。可以通过超高温、强电场或电磁场（EF）产生等离子。包含在等离子中的离子颗粒与基板碰撞以执行蚀刻处理。

等离子不仅存在于室内的基板的直接上面中，而且沿着多个方向散布。特别地，如果大量等离子散布到室内的边缘区域中，那么可能使基板处理过程的效率变差。

发明内容

本发明提供了一种利用等离子的基板处理装置，所述基板处理装置在基板处理过程中能够将室内的等离子集中到其中布置有基板的中心区域中。

本发明还提供了一种基板处理装置，所述基板处理装置在将流体排放到室中时能够通过导流件防止发生电弧放电。

本发明的特征不限于上述，而且本领域中的技术人员将会从下面的描述中清楚地理解这里未描述的其它特征。

本发明的实施方式提供了基板处理装置。

基板处理装置包括：壳体，其具有在其中进行基板处理的内部空间；支撑件，其布置在壳体内以支撑基板；气体供给单元，其将气体供给到壳体中；等离子源，其从供给到壳体中的气体产生等离子；以及导流件单元，其布置为围绕在壳体内的支撑件，导流件单元包括导流件，其中限定了用于将气体排放到壳体的内部空间中的通孔，其中当从上面观察时所述导流件被分成多个区域，并且多个区域中的一部分中的每个都由金属材料形成，并且多个区域中的其它部分中的每个都由非金属材料形成。

在一些实施方式中，通孔限定在每个金属材料区域与每个非金属材料区域之间的边界中。

在其它实施方式中，多个区域可以同心地布置，并且多个区域中的每个都可以具有环形形状。

在此外的其它实施方式中，金属材料区域可以布置在每个非金属材料区域的的两个侧面上。

在此外的其它实施方式中，金属材料区域与非金属材料区域可以交替地重复设置。

在此外的其它实施方式中，多个区域中的部分可以彼此具有不同的厚度。

在此外的其它实施方式中，多个区域中的每个都可以具有从其中心区域到边缘区域逐渐增加的厚度。

在此外的其它实施方式中，多个区域的顶面可以彼此结合以提供圆形的形状。

在此外的其它实施方式中，多个区域中的每个都可以具有从其中心区域到边缘区域逐渐增加的厚度。

在此外的其它实施方式中，非金属材料可以包括电介质物质。

在此外的其它实施方式中，导流件单元还可以包括导流件接地板，所述导流件接地板具有与导流件的底面接触的顶面，导流件接地板连接到壳体上以使导流件接地。

在此外的其它实施方式中，基板处理装置还可以包括布置在壳体顶面上的等离子感应件，等离子感应件具有朝向其边缘区域逐渐增加的厚度。

在此外的其它实施方式中，等离子感应件可以具有圆形形状的底面。

在此外的其它实施方式中，基板处理装置还可以包括布置在壳体顶面上的等离子感应件，等离子感应件具有朝向其边缘区域逐渐增加的厚度。

本发明的其它实施方式提供了导流件单元。

导流件单元包括：导流件，其中限定了用于将气体排放到处理基板的空间中的通孔；接地板，其与导流件接触以使导流件接地，其中当从上面观察时所述导流件被分成多个区域，并且多个区域的一部分设置为金属材料区域，并且多个区域中的其它部分设置为非金属材料区域，

在一些实施方式中，通孔限定在每个金属材料区域与每个非金属材料区域之间的边界中。

在其它实施方式中，金属材料区域与非金属材料区域可以同心地布置，并且多个区域中的每个都可以具有环形形状。

在此外的其它实施方式中，金属材料区域与非金属材料区域可以交替地重复设置。

在此外的其它实施方式中，多个区域中的部分可以彼此具有不同的厚度。